4月13日(木) 午前 座長: 菊田 繁(ルネサス) 09:20 - 10:35 |
(1) |
09:20-09:45 |
DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ~ 接合リーク電流の2値変動 ~ |
毛利友紀(日立)・大湯靜憲・小此木堅祐(エルピーダメモリ)・○山田廉一(日立) |
(2) |
09:45-10:10 |
リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM |
○高井智久・永井 健・和田政春・岩井 斎・加来真理子・鈴木 淳・糸賀尚子・宮崎隆行(東芝)・竹中博幸(東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦・宮野信治(東芝) |
(3) |
10:10-10:35 |
カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発 |
○久保内修一(日立超LSIシステムズ)・藤澤宏樹・黒木浩二・西岡直久・利穂吉郎・野田浩正(エルピーダメモリ)・藤井 勇・余公秀之・瀧下隆治・伊藤孝洋・田中 均(日立超LSIシステムズ)・中村正行(エルピーダメモリ) |
4月13日(木) 午前 座長: 相本 代志冶(NECエレ) 10:45 - 12:00 |
(4) |
10:45-11:35 |
[特別招待講演]サブ1V DRAM設計技術 |
○河原尊之(日立) |
(5) |
11:35-12:00 |
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発 |
○中島博臣・南 良博・篠 智彰(東芝)・坂本篤史(東芝情報システム)・東 知輝(東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹・藤田勝之・初田幸輔・大澤 隆・青木伸俊・谷本弘吉・森門六月生・井納和美・浜本毅司・仁田山晃寛(東芝) |
4月13日(木) 午後 座長: 榎本 忠儀(中央大学) 13:00 - 14:40 |
(6) |
13:00-13:50 |
[特別招待講演]Chain FeRAM技術と将来展望 |
○高島大三郎(東芝) |
(7) |
13:50-14:40 |
[特別招待講演]金属酸化物抵抗変調型NVM技術 |
○田口眞男(スパンシオン) |
4月13日(木) 午後 座長: 山内 寛行(福岡工業大学) 14:50 - 16:30 |
(8) |
14:50-15:40 |
[特別招待講演]新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム |
○有本和民(ルネサステクノロジ) |
(9) |
15:40-16:30 |
[特別招待講演]SoC設計からみたメモリへの要求 |
○高橋真史(東芝) |
4月13日(木) 午後 座長: 日高 秀人(ルネサス) 16:40 - 18:40 |
(10) |
16:40-18:40 |
[パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか? |
○日高秀人(ルネサステクノロジ)・田口眞男(SPANSION JAPAN)・河原尊之(日立)・高島大三郎(東芝)・上野修一(ルネサステクノロジ)・高田雅史(金沢大)・高橋真史(東芝) |
4月14日(金) 午前 座長: 中村 和之(九州工業大学) 08:40 - 10:20 |
(11) |
08:40-09:05 |
相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究 |
○高田雅史・中山和也・泉 貴富・新村 達・秋田純一・北川章夫(金沢大) |
(12) |
09:05-09:30 |
MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討 |
○岡村怜王奈(早大)・木原雄治(ルネサステクノロジ)・金 泰潤・木村史法・松井悠亮(早大)・大石 司(ルネサステクノロジ)・吉原 務(早大) |
(13) |
09:30-09:55 |
4MbMRAMとその応用 |
○杉林直彦・本田雄士・崎村 昇・永原聖万・三浦貞彦・志村健一・辻 清孝・福本能之・本庄弘明・鈴木哲広・加藤有光・齋藤信作・笠井直記・沼田秀昭・大嶋則和(NEC) |
(14) |
09:55-10:20 |
携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM |
○清水有威・岩田佳久・土田賢二・稲場恒夫・滝沢亮介・上田善寛・板垣清太郎・浅尾吉昭・梶山 健・細谷啓司・池川純夫・甲斐 正・中山昌彦・與田博明(東芝) |
4月14日(金) 午前 座長: 宮野 信治(東芝) 10:25 - 12:05 |
(15) |
10:25-11:15 |
[特別招待講演]Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM |
○Hide Nagai・Yiming Huai(Grandis)・Shuichi Ueno・Tsuyoshi Koga(Renesas Technology) |
(16) |
11:15-11:40 |
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM |
○木原雄治・中嶋 泰・井筒 隆・中本正幸(ルネサステクノロジ)・吉原 務(早大) |
(17) |
11:40-12:05 |
次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン |
○武田晃一・池田秀寿・萩原靖彦・野村昌弘(NEC)・小畑弘之(NECエレクトロニクス) |
4月14日(金) 午後 座長: 久我 守弘(熊本大学) 13:00 - 14:15 |
(18) |
13:00-13:50 |
[特別招待講演]バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術 |
○山岡雅直(日立) |
(19) |
13:50-14:15 |
Worst-Case Ananlysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability |
○Yasumasa Tsukamoto・Koji Nii(Renesas Technology)・Susumu Imaoka(Renesas Design)・Yuji Oda(Shikino High-Tech.)・Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara(Renesas Technology) |
4月14日(金) 午後 座長: 平野 恭章(シャープ) 14:20 - 15:35 |
(20) |
14:20-14:45 |
Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling |
○Ryuji Ohba・Yuichiro Mitani・Naoharu Sugiyama・Shinobu Fujita(Toshiba) |
(21) |
14:45-15:10 |
マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム |
○石川次郎・田中利広・加藤 章・山木貴志・梅本由紀子・下里 健・中村 功・品川 裕(ルネサステクノロジ) |
(22) |
15:10-15:35 |
99mm2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ |
○岩井 信・竹内 健・亀田 靖・藤村 進・大竹博之・細野浩司・志賀 仁・渡辺慶久・二山拓也・進藤佳彦・小島正嗣・白川政信・市毛正之・畠山多生・田中真一(東芝) |