お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2021年10月開催~)
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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 中屋 雅夫
副委員長 松澤 昭
幹事 宮野 信治, 甲斐 康司
幹事補佐 相本 代志治, 永田 真

日時 2006年 4月13日(木) 09:20 - 18:40
2006年 4月14日(金) 08:40 - 15:35
議題 新メモリ技術とシステムLSI <オーガナイザ:山内寛行(福岡工業大学)> 
会場名 大分大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
住所 〒870-1192 大分市旦野原700番地
交通案内 JR大分大学前駅から徒歩15分またはJR大分駅からバス30分「大分大学」
http://www.oita-u.ac.jp/gaiyo/map/access.html
会場世話人
連絡先
電気電子工学科 益子 洋治
097-569-3311
お知らせ ◎4月13日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。

4月13日(木) 午前 
座長: 菊田 繁(ルネサス)
09:20 - 10:35
(1) 09:20-09:45 DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ~ 接合リーク電流の2値変動 ~ 毛利友紀(日立)・大湯靜憲・小此木堅祐(エルピーダメモリ)・○山田廉一(日立)
(2) 09:45-10:10 リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM ○高井智久・永井 健・和田政春・岩井 斎・加来真理子・鈴木 淳・糸賀尚子・宮崎隆行(東芝)・竹中博幸(東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦・宮野信治(東芝)
(3) 10:10-10:35 カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発 ○久保内修一(日立超LSIシステムズ)・藤澤宏樹・黒木浩二・西岡直久・利穂吉郎・野田浩正(エルピーダメモリ)・藤井 勇・余公秀之・瀧下隆治・伊藤孝洋・田中 均(日立超LSIシステムズ)・中村正行(エルピーダメモリ)
4月13日(木) 午前 
座長: 相本 代志冶(NECエレ)
10:45 - 12:00
(4) 10:45-11:35 [特別招待講演]サブ1V DRAM設計技術 ○河原尊之(日立)
(5) 11:35-12:00 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発 ○中島博臣・南 良博・篠 智彰(東芝)・坂本篤史(東芝情報システム)・東 知輝(東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹・藤田勝之・初田幸輔・大澤 隆・青木伸俊・谷本弘吉・森門六月生・井納和美・浜本毅司・仁田山晃寛(東芝)
4月13日(木) 午後 
座長: 榎本 忠儀(中央大学)
13:00 - 14:40
(6) 13:00-13:50 [特別招待講演]Chain FeRAM技術と将来展望 ○高島大三郎(東芝)
(7) 13:50-14:40 [特別招待講演]金属酸化物抵抗変調型NVM技術 ○田口眞男(スパンシオン)
4月13日(木) 午後 
座長: 山内 寛行(福岡工業大学)
14:50 - 16:30
(8) 14:50-15:40 [特別招待講演]新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム ○有本和民(ルネサステクノロジ)
(9) 15:40-16:30 [特別招待講演]SoC設計からみたメモリへの要求 ○高橋真史(東芝)
4月13日(木) 午後 
座長: 日高 秀人(ルネサス)
16:40 - 18:40
(10) 16:40-18:40 [パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか? ○日高秀人(ルネサステクノロジ)・田口眞男(SPANSION JAPAN)・河原尊之(日立)・高島大三郎(東芝)・上野修一(ルネサステクノロジ)・高田雅史(金沢大)・高橋真史(東芝)
4月14日(金) 午前 
座長: 中村 和之(九州工業大学)
08:40 - 10:20
(11) 08:40-09:05 相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究 ○高田雅史・中山和也・泉 貴富・新村 達・秋田純一・北川章夫(金沢大)
(12) 09:05-09:30 MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討 ○岡村怜王奈(早大)・木原雄治(ルネサステクノロジ)・金 泰潤・木村史法・松井悠亮(早大)・大石 司(ルネサステクノロジ)・吉原 務(早大)
(13) 09:30-09:55 4MbMRAMとその応用 ○杉林直彦・本田雄士・崎村 昇・永原聖万・三浦貞彦・志村健一・辻 清孝・福本能之・本庄弘明・鈴木哲広・加藤有光・齋藤信作・笠井直記・沼田秀昭・大嶋則和(NEC)
(14) 09:55-10:20 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM ○清水有威・岩田佳久・土田賢二・稲場恒夫・滝沢亮介・上田善寛・板垣清太郎・浅尾吉昭・梶山 健・細谷啓司・池川純夫・甲斐 正・中山昌彦・與田博明(東芝)
4月14日(金) 午前 
座長: 宮野 信治(東芝)
10:25 - 12:05
(15) 10:25-11:15 [特別招待講演]Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM ○Hide Nagai・Yiming Huai(Grandis)・Shuichi Ueno・Tsuyoshi Koga(Renesas Technology)
(16) 11:15-11:40 DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM ○木原雄治・中嶋 泰・井筒 隆・中本正幸(ルネサステクノロジ)・吉原 務(早大)
(17) 11:40-12:05 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン ○武田晃一・池田秀寿・萩原靖彦・野村昌弘(NEC)・小畑弘之(NECエレクトロニクス)
4月14日(金) 午後 
座長: 久我 守弘(熊本大学)
13:00 - 14:15
(18) 13:00-13:50 [特別招待講演]バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術 ○山岡雅直(日立)
(19) 13:50-14:15 Worst-Case Ananlysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability ○Yasumasa Tsukamoto・Koji Nii(Renesas Technology)・Susumu Imaoka(Renesas Design)・Yuji Oda(Shikino High-Tech.)・Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara(Renesas Technology)
4月14日(金) 午後 
座長: 平野 恭章(シャープ)
14:20 - 15:35
(20) 14:20-14:45 Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling ○Ryuji Ohba・Yuichiro Mitani・Naoharu Sugiyama・Shinobu Fujita(Toshiba)
(21) 14:45-15:10 マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム ○石川次郎・田中利広・加藤 章・山木貴志・梅本由紀子・下里 健・中村 功・品川 裕(ルネサステクノロジ)
(22) 15:10-15:35 99mm2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ ○岩井 信・竹内 健・亀田 靖・藤村 進・大竹博之・細野浩司・志賀 仁・渡辺慶久・二山拓也・進藤佳彦・小島正嗣・白川政信・市毛正之・畠山多生・田中真一(東芝)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
特別招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 宮野信治(東芝)
TEL 0444-548-2696, FAX 044-548-8324
E-: nba 


Last modified: 2006-05-18 11:42:28


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