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★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)  副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2018年 1月30日(火) 11:00~16:30

会場 機械振興会館 地下3F 研修1(〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8.東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分.http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html)

議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集)

1月30日(火) 午前 (11:00~16:30)

(1) 11:00 - 11:30
[招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察
○太田裕之・右田真司・池上 努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一(産総研)・鳥海 明(東大)

(2) 11:30 - 12:00
[招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一(東大)

−−− 昼食 ( 90分 ) −−−

(3) 13:30 - 14:00
[招待講演]Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術
○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健(中大)

(4) 14:00 - 14:30
[招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)

−−− 休憩 ( 30分 ) −−−

(5) 15:00 - 15:30
[招待講演]STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET
○Pablo Stoliar(nanoGUNE)・Alejandro Schulman・Ai Kitoh・Akihito Sawa・Isao H. Inoue(AIST)

(6) 15:30 - 16:00
[招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima(Univ. of Tokyo)・Shinji Migita(AIST)・Akira Toriumi(Univ. of Tokyo)

(7) 16:00 - 16:30
[招待講演]IEDM2017を振り返って
○高柳万里子(東芝)

招待講演:発表 25 分 + 質疑応答 5 分

◆応用物理学会共催


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

2月8日(木) 東京大学/本郷 [11月20日(月)] テーマ:配線・実装技術と関連材料技術
2月28日(水) (開催日変更) 北海道大学百年記念会館 [12月20日(水)] テーマ:機能ナノデバイスおよび関連技術
3月8日(木) 東レ総合研修センター [1月19日(金)] テーマ:回路デバイス境界技術領域合同研究会
4月6日(金)~7日(土) 沖縄県青年会館 [2月12日(月)] テーマ:薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般

【問合先】
黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-mail: e3


Last modified: 2017-12-04 16:14:46


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