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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2018年 1月30日(火) 11:00 - 16:30
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 機械振興会館 地下3F 研修1 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

1月30日(火) 午前 
11:00 - 16:30
(1) 11:00-11:30 [招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 SDM2017-91 太田裕之右田真司池上 努服部淳一浅井栄大福田浩一産総研)・鳥海 明東大
(2) 11:30-12:00 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 SDM2017-92 加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
(3) 13:30-14:00 [招待講演]Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 SDM2017-93 溝口恭史小滝翔平出口慶明竹内 健中大
(4) 14:00-14:30 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ SDM2017-94 津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス
  14:30-15:00 休憩 ( 30分 )
(5) 15:00-15:30 [招待講演]STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET SDM2017-95 Pablo StoliarnanoGUNE)・Alejandro SchulmanAi KitohAkihito SawaIsao H. InoueAIST
(6) 15:30-16:00 [招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties SDM2017-96 Xuan TianLun XuShigehisa ShibayamaTomonori NishimuraTakeaki YajimaUniv. of Tokyo)・Shinji MigitaAIST)・Akira ToriumiUniv. of Tokyo
(7) 16:00-16:30 [招待講演]IEDM2017を振り返って
○高柳万里子(東芝)

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2017-12-04 16:14:46


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