お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年6月開催)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 原 直紀 (富士通研)
副委員長 前澤 宏一 (富山大)
幹事 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)
幹事補佐 鈴木 寿一 (北陸先端大), 新井 学 (新日本無線)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 高野 泰 (静岡大)
副委員長 野毛 悟 (沼津高専)
幹事 佐藤 知正 (神奈川大), 小舘 淳一 (NTT)
幹事補佐 岩田 展幸 (日大), 坂本 尊 (NTT)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 近藤 正彦 (阪大)
副委員長 小路 元 (住友電工)
幹事 有賀 博 (三菱電機), 梅沢 俊匡 (NICT)

日時 2014年11月27日(木) 10:30 - 17:15
2014年11月28日(金) 09:30 - 16:55
議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館ホール 
住所 〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-2
交通案内 阪急電車千里線:北千里駅(終点)下車東へ徒歩約15分,大阪モノレール:阪大病院前駅下車徒歩約5~15分,阪急バス:・千里中央発「阪大本部前行」、「茨木美穂ヶ丘行」阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約5~15分・北千里発「阪大病院線」,近鉄バス・阪急茨木市駅発「阪大本部前行」(JR茨木駅経由)いずれも、阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約5~15分
http://www.osaka-u.ac.jp/ja/access/accessmap.html
会場世話人
連絡先
工学研究科 電気電子情報工学専攻 近藤正彦
06-6879-7765
お知らせ ◎27日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月27日(木) 午前 
10:30 - 10:35
  10:30-10:35 委員長挨拶 ( 5分 )
11月27日(木) 午後 
座長: 橋本 玲(東芝)
10:35 - 12:15
(1) 10:35-11:00 昇華法によるAlN単結晶の育成 ED2014-73 CPM2014-130 LQE2014-101 岩崎洋介永田俊郎秋山秀敏中村啓一郎JFEミネラル
(2) 11:00-11:25 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 尾崎拓也船戸 充川上養一京大
(3) 11:25-11:50 MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103 児玉和樹Hasan Md Tanvir野村裕之福井大)・重川直輝阪市大)・山本暠勇葛原正明福井大
(4) 11:50-12:15 減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果 ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104 中濵和大三重大)・福世文嗣浜松ホトニクス)・三宅秀人平松和政三重大)・吉田治正小林祐二浜松ホトニクス
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
11月27日(木) 午後 
座長: 片山 健夫(奈良先端大)
13:15 - 15:20
(5) 13:15-13:40 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性 ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105 栗原 香長尾 哲三菱化学)・山口敦史金沢工大
(6) 13:40-14:05 非極性InGaN量子井戸の偏光特性 ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106 坂井繁太山口敦史金沢工大)・栗原 香長尾 哲三菱化学
(7) 14:05-14:30 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術 ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107 鹿嶋行雄松浦恵里子丸文)・嶋谷 聡東京応化)・小久保光典田代貴晴大川貴史東芝機械)・上村隆一郎長田大和アルバック)・藤川紗千恵平山秀樹理研
(8) 14:30-14:55 ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108 南部優賢山口敦史金沢工大)・後藤裕輝砂川晴夫松枝敏晴古河機械金属)・岡田愛姫子早大)・篠原秀敏後藤博史東芝機械)・水野 潤早大)・碓井 彰古河機械金属
(9) 14:55-15:20 ウエットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製 ED2014-81 CPM2014-138 LQE2014-109 金沢裕也豊田史朗大島一晟埼玉大/理研)・鎌田憲彦埼玉大)・鹿嶋行雄松浦恵里子丸文)・嶋谷 聡東京応化)・小久保光典田代貴晴東芝機械)・大川貴史上村隆一郎長田大和アルバック)・平山秀樹理研
  15:20-15:35 休憩 ( 15分 )
11月27日(木) 午後 
座長: 高野 泰(静岡大)
15:35 - 17:15
(10) 15:35-16:00 InNの硬度とヤング率の評価 ED2014-82 CPM2014-139 LQE2014-110 大久保 泰出浦桃子東北大)・徳本有紀東大)・沓掛健太朗大野 裕米永一郎東北大
(11) 16:00-16:25 LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長および磁気特性 中村拓未林 佑太郎隅田貴士橋本浩佑永田知子山本 寛・○岩田展幸日大
(12) 16:25-16:50 [(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較 ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111 及川貴大渡部雄太稲葉隆哲大島佳祐宋 華平永田知子山本 寛・○岩田展幸日大
(13) 16:50-17:15 自由電子レーザーを照射して成長させた単層カーボンナノチューブの構造および電気特性 津田悠作吉田圭佑川口大貴永田知子・○岩田展幸山本 寛日大
11月28日(金) 午前 
座長: 大野 啓(パナソニック)
09:30 - 10:45
(14) 09:30-09:55 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 寺嶋 亘平山秀樹理研
(15) 09:55-10:20 MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)の作製と7THz発振動作 ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 豊田史朗理研/埼玉大)・寺嶋 亘理研)・鎌田憲彦埼玉大)・平山秀樹理研/埼玉大
(16) 10:20-10:45 Si基板上ハイブリッド集積光源の高温動作に向けた量子ドットレーザの適用 ED2014-86 CPM2014-143 LQE2014-114 羽鳥伸明清水隆徳光電子融合基盤技研)・岡野 誠産総研)・石坂政茂山本剛之賣野 豊光電子融合基盤技研)・森 雅彦産総研)・中村隆宏光電子融合基盤技研)・荒川泰彦東大
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
11月28日(金) 午後 
座長: 船戸 充(京都大)
11:00 - 12:15
(17) 11:00-11:25 多層サブ波長回折格子を用いた窒化物系直線偏光LED ED2014-87 CPM2014-144 LQE2014-115 高島祐介清水 亮原口雅宣直井美貴徳島大
(18) 11:25-11:50 超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作 ED2014-88 CPM2014-145 LQE2014-116 前田哲利定 昌史平山秀樹理研
(19) 11:50-12:15 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117 定 昌史前田哲利平山秀樹理研
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
11月28日(金) 午後 
座長: 重川 直輝(大坂市立大)
13:15 - 14:55
(20) 13:15-13:40 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉増田 哲常信和清富士通
(21) 13:40-14:05 Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119 Kenji ShiojimaShingo YamamotoYuhei KiharaUniv. of Fukui
(22) 14:05-14:30 AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響 ED2014-92 CPM2014-149 LQE2014-120 西口賢弥橋詰 保北大
(23) 14:30-14:55 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価 ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 藤田 周三好実人江川孝志名工大
  14:55-15:10 休憩 ( 15分 )
11月28日(金) 午後 
座長: 小谷 淳二(富士通研)
15:10 - 16:55
(24) 15:10-15:35 InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122 渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大
(25) 15:35-16:00 微小光共振器によるEu添加GaNのEu発光強度増大 ED2014-95 CPM2014-152 LQE2014-123 稲葉智宏若松龍太李 東建児島貴徳小泉 淳藤原康文阪大
(26) 16:00-16:25 GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・宮川鈴衣奈江龍 修名工大)・橋詰 保北大
(27) 16:25-16:50 スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製 ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 野間友博林 宏暁福島大史今野裕太野村一郎岸野克巳上智大
  16:50-16:55 委員長挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 上田 哲三(パナソニック)
TEL:06-6906-4940 Fax :06-6906-2426
E-zopac
葛西 誠也(北海道大)
TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004
E- : irciqei 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 有賀 博 (三菱電機)
TEL 0467-41-2906,FAX 0467-41-2519
E-: AHiabMibiElectc

梅沢 俊匡(情報通信研究機構)
TEL 042-327-7528, FAX 042-327-7938
E-: _u 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2014-11-24 22:11:32


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[ED研究会のスケジュールに戻る]   /   [CPM研究会のスケジュールに戻る]   /   [LQE研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会