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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)
幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
副委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
幹事 今井 欽之 (NTT), 野毛 悟 (沼津高専)
幹事補佐 島村 俊重 (NTT), 阿部 克也 (信州大)

日時 2011年 5月19日(木) 09:00 - 17:55
2011年 5月20日(金) 09:00 - 17:55
議題 結晶成長、評価技術及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
会場名 名古屋大学 東山キャンパス ベンチャービジネスラボラトリー(VBL) 
住所 〒464-8601 名古屋市千種区不老町
交通案内 http://www.nagoya-u.ac.jp/global-info/access-map/higashiyama/
会場世話人
連絡先
電子情報システム専攻 天野 浩
052-789-5111(東山キャンパス)
他の共催 ◆応用物理学会共催

5月19日(木) 午前  HVPE、その他の薄膜成長と評価
座長: 市村正也(名工大)
09:00 - 10:15
(1) 09:00-09:25 電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 楊 凱中島佑基市村正也名工大
(2) 09:25-09:50 a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 高木雄太三宅秀人平松和政三重大
(3) 09:50-10:15 エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価 楊 士波宮川鈴衣奈三宅秀人平松和政三重大)・播磨 弘京都工繊大
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
5月19日(木)   SiC
座長: 三宅秀人(三重大)
10:25 - 12:05
(4) 10:25-10:50 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 加藤正史吉田敦史市村正也名工大
(5) 10:50-11:15 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 吉田敦史加藤正史市村正也名工大
(6) 11:15-11:40 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 安田智成加藤正史市村正也名工大
(7) 11:40-12:05 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 木村允哉加藤正史市村正也名工大
  12:05-13:00 昼食 ( 55分 )
5月19日(木)   MBE
座長: 成塚重弥(名城大)
13:00 - 14:40
(8) 13:00-13:25 アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 内山翔太林 家弘阿部亮太丸山隆浩成塚重弥名城大
(9) 13:25-13:50 RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 田畑拓也白 知鉉本田善央山口雅史天野 浩名大
(10) 13:50-14:15 Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 熊谷啓助小路耕平河合 剛山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大
(11) 14:15-14:40 BGaPの分子線エピタキシー成長 浦上法之深見太志関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
5月19日(木)   MOVPE その1
座長: 岩谷素顕(名城大)
14:50 - 16:30
(12) 14:50-15:15 MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 大内澄人三宅秀人平松和政三重大
(13) 15:15-15:40 (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 谷川智之本田善央山口雅史天野 浩名大)・澤木宣彦愛知工大
(14) 15:40-16:05 グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 好田慎一瀧澤俊幸長尾宣明石田昌宏上田哲三パナソニック
(15) 16:05-16:30 MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン 高野 泰高木達也見崎 龍宮原 亮静岡大
  16:30-16:40 休憩 ( 10分 )
5月19日(木)   MOVPE その2
座長: 渕 真悟(名大)
16:40 - 17:55
(16) 16:40-17:05 B-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 伊藤 駿竹田健一郎永田賢吾青島宏樹竹原孝祐岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大
(17) 17:05-17:30 X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 田中大樹飯田大輔岩谷素顕竹内哲也上山 智赤崎 勇名城大
(18) 17:30-17:55 AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 矢木康太加賀 充山下浩司竹田健一郎岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大
5月20日(金) 午前  輸送特性
座長: 本田善央(名大)
09:00 - 10:15
(19) 09:00-09:25 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 森 雅之中山幸二中谷公彦安井雄一郎前澤宏一富山大
(20) 09:25-09:50 III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 山下浩司加賀 充矢木康太名城大)・鈴木敦志エルシード)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大
(21) 09:50-10:15 窒化物半導体トンネル接合の作製 加賀 充飯田大輔名城大)・北野 司エルシード)・山下浩司矢木康太岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
5月20日(金)   発光デバイス
座長: 山口雅史(名大)
10:25 - 12:05
(22) 10:25-10:50 ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化 渕 真悟小林俊一大島弘嗣竹田美和名大
(23) 10:50-11:15 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 竹原孝祐竹田健一郎永田賢吾青島宏樹伊藤 駿岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大
(24) 11:15-11:40 AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ~ UV-LEDの劣化メカニズム ~ 朴 貴珍杉山貴之谷川智之本田善央山口雅史天野 浩名大)・稲津哲彦藤田武彦ぺルノー シリル平野 光創光科学
(25) 11:40-12:05 AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 山本準一伴 和仁竹田健一郎井手公康岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大
  12:05-13:00 昼食 ( 55分 )
5月20日(金)   センサ、撮像
座長: 竹内哲也(名城大)
13:00 - 15:05
(26) 13:00-13:25 MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発 舘 忠裕犬塚博章藤村直也近藤嵩輝難波秀平村松慎也安形保則ニラウラ マダン安田和人名工大
(27) 13:25-13:50 Ga2O3酸素センサの作製と評価 山本貴弘茅野真也池田紘基鈴木嘉文以西雅章静岡大
(28) 13:50-14:15 TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性 中村郁太佐藤孝紀以西雅章静岡大)・星 陽一東京工芸大
(29) 14:15-14:40 スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 中村光宏丹羽彬夫以西雅章静岡大
(30) 14:40-15:05 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価 丸山大地岡田 浩関口寛人若原昭浩豊橋技科大
  15:05-15:15 休憩 ( 10分 )
5月20日(金) 午後  太陽電池
座長: 若原昭浩(豊橋技科大)
15:15 - 16:30
(31) 15:15-15:40 ZnO,SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池 服部 翔市村正也名工大
(32) 15:40-16:05 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 中尾達郎桑原洋介藤山泰治藤井崇裕杉山 徹山本翔太岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大
(33) 16:05-16:30 窒化物太陽電池の電極構造検討 山本翔太森田義己桑原洋介藤井崇裕杉山 徹岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤崎 勇名城大/名大)・天野 浩名大
  16:30-16:40 休憩 ( 10分 )
5月20日(金)   FET
座長: 岸本 茂(名大)
16:40 - 17:55
(34) 16:40-17:05 GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ~ 杉山貴之本田善央山口雅史天野 浩名大)・磯部康裕押村吉徳岩谷素顕竹内哲也上山 智赤崎 勇名城大)・今出 完北岡康夫森 勇介阪大
(35) 17:05-17:30 GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 池田和弥磯部康裕一木宏充堀尾尚史榊原辰幸岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大
(36) 17:30-17:55 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 宮崎英志合田祐司岸本 茂水谷 孝名大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 野毛 悟(沼津高専 電気電子工学科)
s-ge-ct
TEL&Fax:055-926-5821 


Last modified: 2011-04-19 09:41:54


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