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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 橋詰 保 (北大) 副委員長 加地 徹 (豊田中研) 幹事 原 直紀 (富士通研)， 津田 邦男 (東芝) 幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京)， 上田 哲三 (パナソニック) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 副委員長 竹村 泰司 (横浜国大) 幹事 今井 欽之 (NTT)， 野毛 悟 (沼津高専) 幹事補佐 島村 俊重 (NTT)， 阿部 克也 (信州大) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大) 副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 小野 行徳 (NTT)， 大西 克典 (九工大) 幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大) 日時 2011年 5月19日(木) 09：00～17：55 2011年 5月20日(金) 09：00～17：55 会場 名古屋大学 東山キャンパス ベンチャービジネスラボラトリー（ＶＢＬ）（〒464-8601 名古屋市千種区不老町．http://www.nagoya-u.ac.jp/global-info/access-map/higashiyama/．電子情報システム専攻 天野 浩．052-789-5111（東山キャンパス）） 議題 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） 5月19日(木) 午前 HVPE、その他の薄膜成長と評価 （09：00～10：15） 座長: 市村正也（名工大） (1) 09:00 - 09:25 電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 ○楊 凱・中島佑基・市村正也（名工大） (2) 09:25 - 09:50 a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 ○高木雄太・三宅秀人・平松和政（三重大） (3) 09:50 - 10:15 エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価 ○楊 士波・宮川鈴衣奈・三宅秀人・平松和政（三重大）・播磨 弘（京都工繊大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 5月19日(木) SiC （10：25～12：05） 座長: 三宅秀人（三重大） (4) 10:25 - 10:50 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 ○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大） (5) 10:50 - 11:15 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 ○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大） (6) 11:15 - 11:40 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 ○安田智成・加藤正史・市村正也（名工大） (7) 11:40 - 12:05 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 ○木村允哉・加藤正史・市村正也（名工大） −−− 昼食 （ 55分 ） −−− 5月19日(木) MBE （13：00～14：40） 座長: 成塚重弥（名城大） (8) 13:00 - 13:25 アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 ○内山翔太・林 家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥（名城大） (9) 13:25 - 13:50 RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 ○田畑拓也・白 知鉉・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） (10) 13:50 - 14:15 Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） (11) 14:15 - 14:40 BGaPの分子線エピタキシー成長 ○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 5月19日(木) MOVPE その1 （14：50～16：30） 座長: 岩谷素顕（名城大） (12) 14:50 - 15:15 MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 ○大内澄人・三宅秀人・平松和政（三重大） (13) 15:15 - 15:40 (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大） (14) 15:40 - 16:05 グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 ○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） (15) 16:05 - 16:30 MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン ○高野 泰・高木達也・見崎 龍・宮原 亮（静岡大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 5月19日(木) MOVPE その２ （16：40～17：55） 座長: 渕 真悟（名大） (16) 16:40 - 17:05 B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 ○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） (17) 17:05 - 17:30 X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 ○田中大樹・飯田大輔・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大） (18) 17:30 - 17:55 AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 ○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） 5月20日(金) 午前 輸送特性 （09：00～10：15） 座長: 本田善央（名大） (19) 09:00 - 09:25 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 ○森 雅之・中山幸二・中谷公彦・安井雄一郎・前澤宏一（富山大） (20) 09:25 - 09:50 III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） (21) 09:50 - 10:15 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 5月20日(金) 発光デバイス （10：25～12：05） 座長: 山口雅史（名大） (22) 10:25 - 10:50 ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化 ○渕 真悟・小林俊一・大島弘嗣・竹田美和（名大） (23) 10:50 - 11:15 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 ○竹原孝祐・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・伊藤 駿・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） (24) 11:15 - 11:40 AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ～ UV-LEDの劣化メカニズム ～ ○朴 貴珍・杉山貴之・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・稲津哲彦・藤田武彦・ぺルノー シリル・平野 光（創光科学） (25) 11:40 - 12:05 AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 ○山本準一・伴 和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） −−− 昼食 （ 55分 ） −−− 5月20日(金) センサ、撮像 （13：00～15：05） 座長: 竹内哲也（名城大） (26) 13:00 - 13:25 MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発 ○舘 忠裕・犬塚博章・藤村直也・近藤嵩輝・難波秀平・村松慎也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） (27) 13:25 - 13:50 Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大） (28) 13:50 - 14:15 TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性 ○中村郁太・佐藤孝紀・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） (29) 14:15 - 14:40 スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 ○中村光宏・丹羽彬夫・以西雅章（静岡大） (30) 14:40 - 15:05 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価 ○丸山大地・岡田 浩・関口寛人・若原昭浩（豊橋技科大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 5月20日(金) 午後 太陽電池 （15：15～16：30） 座長: 若原昭浩（豊橋技科大） (31) 15:15 - 15:40 ZnO，SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池 ○服部 翔・市村正也（名工大） (32) 15:40 - 16:05 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 ○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山 徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） (33) 16:05 - 16:30 窒化物太陽電池の電極構造検討 ○山本翔太・森田義己・桑原洋介・藤井崇裕・杉山 徹・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 5月20日(金) FET （16：40～17：55） 座長: 岸本 茂（名大） (34) 16:40 - 17:05 GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） (35) 17:05 - 17:30 GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 ○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） (36) 17:30 - 17:55 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月29日(水)～7月1日(金) Legend Hotel [4月28日(木)] テーマ：AWAD2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 7月29日(金)～30日(土) 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター [5月19日(木)] テーマ：TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 【問合先】 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E-mail :     o       津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E-mail :   o   ba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E-mail :      t  上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-mail：   zopa c☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月30日(木) 機械振興会館 [未定] テーマ：材料デバイスサマーミーティング 8月10日(水)～11日(木) 弘前大学 文京町キャンパス [6月22日(水)] テーマ：電子部品・材料，一般 8月25日(木)～26日(金) 北海道大学 創成科学研究棟 ５階 大会議室 [6月21日(火)] テーマ：光部品・電子デバイス実装技術、一般 【問合先】 野毛 悟(沼津高専 電気電子工学科) s-  ge   -ctTEL&Fax:055-926-5821 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月29日(水)～7月1日(金) Legend Hotel [4月28日(木)] テーマ：AWAD2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 7月4日(月) 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） [4月11日(月)] テーマ：ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 8月25日(木)～26日(金) (予定) 富山県民会館 [6月6日(月)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o     Last modified: 2011-04-19 09:41:54 |
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