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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
専門委員長 小路 元 (住友電工)  副委員長 野田 進 (京大)
幹事 梅沢 俊匡 (NICT), 藤原 直樹 (NTT)

日時 2015年12月18日(金) 09:45~17:10

会場 機械振興開会(〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8.【地下鉄】 東京メトロ日比谷線「神谷町」駅下車徒歩約7分.http://www.jcmanet.or.jp/gaiyo/map_kaikan.htm.梅沢 俊匡.042-327-725)

議題 半導体レーザー関連技術および一般

12月18日(金) 午前 (09:45~11:05)
座長: 藤原 直樹(NTT)

−−− 開催挨拶 LQE委員長 小路 元(住友電工) ( 5分 ) −−−

(1) 09:50 - 10:15
窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション
○尾崎 智・山口敦史(金沢工大)・後藤裕輝・碓井 彰(古河機械金属)

(2) 10:15 - 10:40
High-speed and low chirp operations of transverse-coupled-cavity VCSELs
○Shanting Hu・Fumio Koyama(Tokyo Tech)

−−− 若手奨励賞授賞式 10:35 - 10:45 ( 10分 ) −−−

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

12月18日(金) 午前 (11:05~13:15)
座長: 川北 泰雅 (古河電気工業)

(3) 11:05 - 11:30
[奨励講演]量子井戸とフォトニック結晶に基づく高効率・高速熱輻射光源の開発
○井上卓也・デゾイサ メナカ・浅野 卓・野田 進(京大)

(4) 11:30 - 11:55
[奨励講演]GaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
○中尾 亮・荒井昌和・小林 亘・硴塚孝明・山本 剛・松尾慎治(NTT)

−−− 休憩 ( 65分 ) −−−

特別研究会「第25回半導体レーザ国際会議プレコンファレンス」
2016年9月12日(月)~15日(木)に神戸で開催予定の第25回
半導体レーザ国際会議(ISLC2016)を前に、ISLC2016国内委員会
の協賛のもと、国内外の著名な研究者を招聘して特別研究会として
開催いたします。

(5) 13:00 - 13:05
Opening remarks
Hajime Shoji(Sumitomo Electric)

(6) 13:05 - 13:15
Introduction of ISLC2016
Yuichi Tohmori(Tsurugi Photonics Foundation)

12月18日(金) 午後 (13:15~15:15)
座長: Luke J. Mawst (Univ. Wisconsin-Madison)

(7) 13:15 - 13:45
[招待講演]Physics and Applications of Phased VCSEL Arrays
○Kent D. Choquette(Univ. Illinois)

(8) 13:45 - 14:15
[招待講演]VCSEL using high contrast metastructured reflectors
○Connie J. Chang-Hasnain(UC Berkley)

(9) 14:15 - 14:45
[招待講演]Ultra High‐Speed Direct‐modulation Semiconductor Lasers
○Kazuhisa Uomi(Oclaro Japan)

(10) 14:45 - 15:15
[招待講演]Realization and Applications of Mass-Productive Quantum Dot Lasers
○Kenichi Nishi(Univ.Tokyo)・Keizo Takemasa・Mitsuru Sugawara(QDLaser)・Yasuhiko Arakawa(Univ.Tokyo)

−−− 休憩 ( 20分 ) −−−

12月18日(金) 午後 (15:35~17:10)
座長: Susumu Noda (Kyoto Univ.)

(11) 15:35 - 16:05
[招待講演]Monolithic Coherent Power Scaling of Mid-Infrared Quantum Cascade Lasers
○Luke J. Mawst(Univ. Wisconsin-Madison)

(12) 16:05 - 16:35
[招待講演]Wideband Semiconductor Optoelectronic Devices
○Yi Luo・ChangZheng Sun・Bing Xiong(Tsinghua Univ.)

(13) 16:35 - 17:05
[招待講演]Low threshold lasers for datacom and computercom applications
○Shinji Matsuo・Koji Takeda・Takuro Fujii・Hidetaka Nishi・Koichi Hasebe・Takaaki Kakitsuka(NTT)

(14) 17:05 - 17:10
Closing Remarks,
Akihiko Kasukawa(Furukawa Electric)

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分
奨励講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演:発表 25 分 + 質疑応答 5 分

◆半導体レー ザ国際会議国内委員会


☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

2016年1月28日(木)~29日(金) 神戸市産業振興センター [11月12日(木)] テーマ:フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般

【問合先】
梅沢 俊匡(情報通信研究機構)
TEL 042-327-7528, FAX 042-327-7938
E-mail: _u

藤原 直樹(日本電信電話株式会社)
TEL 046-240-3266, FAX 046-240-4345
E-mail: o

◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2015-12-01 17:50:27


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