12月11日(金) 午前
09:30 - 17:25 |
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09:30-09:35 |
委員長挨拶（開会） （ 5分 ） |
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09:35-10:00 |
半導体レーザにおける戻り光カオスと自己混合ドップラダイナミクス |
○大坪順次・生源寺 類（静岡大） |
| (2) |
10:00-10:25 |
戻り光量子ドットレーザにおけるダイナミクス |
○高林巨樹・生源寺 類・大坪順次（静岡大） |
| (3) |
10:25-10:50 |
Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ |
○雨宮智宏・阿部健治（東工大）・種村拓夫（東大）・水本哲弥（東工大）・中野義昭（東大） |
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10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
11:00-11:25 |
端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響 |
○市川弘之・熊谷安紀子・河野直哉・松川真治・福田智恵・岩井圭子・生駒暢之（住友電工） |
| (5) |
11:25-11:50 |
OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 |
○竹下達也・佐藤具就・満原 学・近藤康洋・大橋弘美（NTT） |
| (6) |
11:50-12:15 |
有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長 |
○佐藤由章・寺村晃彦・佐久間吉彦・小島修司・笠原健一（立命館大）・大塚岳夫（阪大）・三浦伸仁（カネカ） |
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12:15-13:15 |
昼食 （ 60分 ） |
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13:15-13:25 |
LQE奨励賞表彰式 （ 10分 ） |
| (7) |
13:25-13:50 |
［奨励講演］多重上位準位を有する量子カスケードレーザ |
○藤田和上・枝村忠孝・山西正道・杉山厚志・古田慎一・落合隆英・秋草直大・菅 博文（浜松ホトニクス） |
| (8) |
13:50-14:15 |
ペルチェ動作6.1μm量子カスケードレーザの相対雑音強度 |
○片岡 誉・森本恭弘・古田 峻・笠原健一（立命館大）・藤田和上・秋草直太・枝村忠孝（浜松ホトニクス） |
| (9) |
14:15-14:40 |
半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作 |
○奥村忠嗣・伊藤 瞳・近藤大介・西山伸彦・荒井滋久（東工大） |
| (10) |
14:40-15:05 |
低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ |
○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） |
| (11) |
15:05-15:30 |
InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ |
○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT） |
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15:30-15:40 |
休憩 （ 10分 ） |
| (12) |
15:40-16:05 |
偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討 |
○坂口 淳・片山健夫・河口仁司（奈良先端大） |
| (13) |
16:05-16:30 |
低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ |
○岩井則広・影山健生・高木啓史・今井 英・川北泰雅・平岩浩二・清水 均・築地直樹・粕川秋彦（古河電工） |
| (14) |
16:30-16:55 |
レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合 |
○篠田和典・足立光一朗・李 英根・塩田貴支・田中滋久（日立/光協会）・菅原俊樹・青木雅博（日立）・辻 伸二（日立/光協会） |
| (15) |
16:55-17:20 |
光インタコネクトのための光素子のセルフアライメント技術と光サブアセンブリ |
○鈴木 敦（日本特殊陶業）・菊地克弥・岡田義邦・仲川 博・青柳昌宏・三川 孝（産総研） |
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17:20-17:25 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
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