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半導体電力変換研究会(IEE-SPC) [schedule] [select]

電子通信エネルギー技術研究会(EE) [schedule] [select]
専門委員長 黒川 不二雄 (長崎大)
副委員長 中原 正俊 (崇城大), 廣瀬 圭一 (NTTファシリティーズ)
幹事 末次 正 (福岡大)
幹事補佐 梶原 一宏 (長崎総合科学大), 松下 傑 (NTTファシリティーズ), 丸田 英徳 (長崎大)

電子デバイス技術委員会(IEE-EDD) [schedule] [select]

日時 2017年11月20日(月) 09:00 - 17:40
2017年11月21日(火) 08:35 - 16:08
議題 エネルギー技術・半導体電力変換・デバイス・材料技術関連,一般 
会場名 鹿児島大学 稲盛会館 
住所 鹿児島県鹿児島市郡元1丁目21−40
交通案内 http://www.inamori.kagoshima-u.ac.jp/
他の共催 ◆IEEE Power Electronics Society Japan共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(EE研究会)についてはこちらをご覧ください.

11月20日(月) 午前  電子デバイス技術委員会(IEE-EDD)
09:00 - 10:25
(1) 09:00-09:17 高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT2)技術
山口 拓也・奥村 秀樹・白石 達也・藤田 剛・阿多 義文・小林 研也(東芝デバイス&ストレージ株式会社)
(2) 09:17-09:34 μーPCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討
真辺 航(九州工業大学)・附田 正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所)・大村 一郎(九州工業大学)
(3) 09:34-09:51 解析モデルを用いたGaNワンチップ変換器における発熱密度の試算
中島 昭(産業技術総合研究所)
(4) 09:51-10:08 SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価
大嶋 俊之・池田 健太郎・大橋 輝之・飯島 良介・高尾 和人(株式会社 東芝)
(5) 10:08-10:25 5000V SiC 双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測
北川 光彦(東芝デバイス&ストレージ株式会社)
  10:25-10:35 休憩 ( 10分 )
11月20日(月) 午後  半導体電力変換技術委員会(IEE-SPC)
10:35 - 12:00
(6) 10:35-10:52 高速駆動SiC-MOSFETの並列接続に関する検討
石川 清太郎,磯部 高範,只野 博(筑波大学)
(7) 10:52-11:09 並列接続SiC-MOSFETの連続動作におけるジャンクション温度解析
昆野 賢太郎,葛本 昌樹,萩原 誠,赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋,堀口 剛司,西沢 昭則(三菱電機株式会社)
(8) 11:09-11:26 SiCパワーMOSFETのMHzスイッチング向けゲートドライバの検討
稲森 奨,古田 潤,小林 和淑(京都工芸繊維大学)
(9) 11:26-11:43 多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討-
福永 崇平,舟木 剛(大阪大学)
(10) 11:43-12:00 厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFETインバータの開発
石川 光亮,小笠原 悟司,竹本 真紹,折川 幸司(北海道大学)
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
11月20日(月) 午後  半導体電力変換技術委員会(IEE-SPC)
13:00 - 14:08
(11) 13:00-13:17 ダブルパルス試験によるパワーエレクトロニクス機器用ノイズ計測システムの構築
岩﨑 量旺,長谷川 一徳,安部 征哉,大村 一郎(九州工業大学)
(12) 13:17-13:34 パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発
田畑 勝次,長谷川 一徳(九州工業大学),附田 正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所,九州工業大学),一木 真生,大村 一郎(九州工業大学)
(13) 13:34-13:51 3次元パワーSoCの小型化にむけての検討
小野 晃太,日浦 健伍,松本 聡(九州工業大学)
(14) 13:51-14:08 パワーSupply on Chipを用いたソフトウェア電源
岡 俊臣,安部 征哉,松本 聡(九州工業大学)
  14:08-14:18 休憩 ( 10分 )
11月20日(月) 午後  半導体電力変換技術委員会(IEE-SPC)
14:18 - 16:00
(15) 14:18-14:35 GaNデバイスを用いた電流不連続モード系統連系インバータのMHz運転における動作検証および損失の解析
山野寺 大地,磯部 高範,只野 博(筑波大学)
(16) 14:35-14:52 電流不連続モードを用いた入出力電位が共通なDC-ACコンバータの動作検証
提橋 郁人,レ ホアイ ナム,伊東 淳一(長岡技術科学大学)
(17) 14:52-15:09 汎用ゲートドライバICを利用したパワーMOSFETの3レベルアクティブゲート駆動回路
大石 一輝(京都大学),新谷 道広(奈良先端科学技術大学院大学),廣本 正之,佐藤 高史(京都大学)
(18) 15:09-15:26 系統連系用マトリックスコンバータの系統電流ひずみ低減時におけるFRT範囲拡大手法の検討
浅井 亨太,伊東 淳一(長岡技術科学大学)
(19) 15:26-15:43 誘導電動機のスロット高調波を利用した回転方向判別と速度推定
新地 翼,山本 吉朗,篠原 篤志(鹿児島大学)
(20) 15:43-16:00 燃料電池と電気二重層キャパシタを直列に接続した電源を持つPMモータ駆動システムにおける電力分担法の検証
大寺 史耶,山本 吉朗,篠原 篤志(鹿児島大学)
  16:00-16:10 休憩 ( 10分 )
11月20日(月) 午後  特別講演
座長: 黒川 不二雄(長崎総合科学大)
16:10 - 17:40
(21) 16:10-16:40 パルスパターン改善空間ベクトル変調法を用いたマトリックスコンバータの特性について
〇山本 吉朗(鹿児島大学)
(22) 16:40-17:10 NTTファシリティーズにおけるスマートエネルギービジネス
〇川越 祐司(NTTファシリティーズ 代表取締役副社長)
(23) 17:10-17:40 NTTファシリティーズにおけるエネルギー技術開発動向
〇藁谷 至誠(NTTファシリティーズ 研究開発部長)
11月21日(火) 午前  電子通信エネルギー技術研究会(EE)
座長: 千坂 光陽(弘前大)
08:35 - 09:55
(24)
EE
08:35-08:55 グリーン基地局における蓄電池併設型太陽光発電システムの統合制御に関する基礎的検討 EE2017-35 角谷昌恭新井拓馬若尾真治早大)・細川裕士白戸陽一郎村 友里恵竹野和彦NTTドコモ
(25)
EE
08:55-09:15 チャージポンプを用いた環境発電向け昇圧回路の性能向上に関する研究 EE2017-36 橋本 哲吉村 勉木原崇雄阪工大
(26)
EE
09:15-09:35 グリーン基地局における受電電力平準化手法の一考察 EE2017-37 中村祐喜木村和明竹野和彦NTTドコモ
(27)
EE
09:35-09:55 電流共振半波形プッシュプルコンバータにおける電圧サージの発生機構と低減手法について EE2017-38 奥 雅貴田中哲郎鹿児島大
  09:55-10:05 休憩 ( 10分 )
11月21日(火) 午後  電子通信エネルギー技術研究会(EE)
座長: 浜村 直(NECプラットフォームズ)
10:05 - 11:05
(28)
EE
10:05-10:25 ディジタルヒステリシス電流制御AC-DCコンバータの設計について EE2017-39 久保山聡之長崎大)・梶原一宏長崎総合科学大)・樋口 剛長崎大)・黒川不二雄長崎総合科学大
(29)
EE
10:25-10:45 空芯トランスを用いた電流共振型コンバータの特性評価 ~ 絶縁型Power-SoC実現へ向けた基礎検討 ~ EE2017-40 皆尺寺 光松本 聡安部征哉九工大
(30)
EE
10:45-11:05 電圧遷移波形を用いた電流センサレスZVSアシスト制御の実機検証 EE2017-41 高橋将也山口宜久高橋英介大林和良デンソー)・西嶋仁浩大分大
  11:05-11:15 休憩 ( 10分 )
11月21日(火) 午後  電子デバイス技術委員会(IEE-EDD)
11:15 - 12:23
(31) 11:15-11:32 三次元スケーリングによるIGBTのVce(sat)低減の実験的検証
筒井 一生,角嶋 邦之,星井 拓也(東京工業大学),中島 昭(産業技術総合研究所),佐藤 克己(三菱電機株式会社),末代 知子(東芝デバイス&ストレージ株式会社),更屋 拓哉(東京大学),齋藤 渉(東芝デバイス&ストレージ株式会社),高倉 俊彦(東京大学),西澤 伸一(九州大学),若林 整(東京工業大学),大村 一郎(九州工業大学),平本 俊郎(東京大学),大橋 弘通,岩井 洋(東京工業大学)
(32) 11:32-11:49 狭メサIGBTにおけるPベース内部の伝導現象
田中 雅浩(日本シノプシス合同会社),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)
(33) 11:49-12:06 IGBTの損失低減及びサージ耐量向上の推移と、高速ターンオフによる更なる損失低減と不都合なダイナミックアバランシェ発生のトレードオフ
戸倉 規仁(無所属)
(34) 12:06-12:23 高輝度LEDの開発経緯と動作機構の再検討 - パワーデバイス屋が考えたLEDの動作機構 -
高田 育紀(元三菱電機)
  12:23-13:13 昼食 ( 50分 )
  13:15-13:25 表彰式 ( 10分 )
11月21日(火) 午後  電子デバイス技術委員会(IEE-EDD)
13:25 - 14:33
(35) 13:25-13:42 分割埋め込みゲート構造を有するNch LDMOSのHCI劣化改善
森 隆弘,藤井 宏基,久保 俊次,一法師 隆志(ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社)
(36) 13:42-13:59 低スイッチング損失、広SOAかつ低特性オン抵抗の40 V LDMOSトランジスタ
松田 順一,小島 潤也,築地 伸和,神山 雅貴,小林 春夫(群馬大学)
(37) 13:59-14:16 自己遮蔽方式HVICのESD耐量向上技術
田中 貴英,山路 将晴,上西 顕寛,大橋 英知,澄田 仁志(富士電機株式会社)
(38) 14:16-14:33 回路の寄生成分がSJ-MOSFETのスイッチング波形に与える影響
新井 大輔,久田 茂,山地 瑞枝,九里 伸治(新電元工業)
  14:33-14:43 休憩 ( 10分 )
11月21日(火) 午後  電子デバイス技術委員会(IEE-EDD)
14:43 - 16:08
(39) 14:43-15:00 電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案
附田 正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所),結城 大介,朝長 大貴,金 亨燮,大村 一郎(九州工業大学)
(40) 15:00-15:17 IGBTのフローティングP層の電位がターンオン時のdI/dtの制御性に与える影響について
伊倉 巧裕,小野澤 勇一(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)
(41) 15:17-15:34 低スイッチング損失と低ノイズを実現するホールパス構造IGBT
大井 幸多,桜井 洋輔,伊倉 巧裕,澤田 睦美,小野澤 勇一,山崎 智幸(富士電機株式会社),鍋谷 暢一(山梨大学)
(42) 15:34-15:51 ストリークカメラによるIGBTのアバランシェ発光解析手法の開発
末代 知子,小倉 常雄,遠藤 幸一(東芝デバイス&ストレージ株式会社),松本 徹,内山 公朗,新倉 史智,越川 一成(浜松ホトニクス株式会社)
(43) 15:51-16:08 新規縦構造を用いたソフトリカバリー性と高いダイナミックな耐久性を併せ持つRFC diode
中村 勝光,清水 和宏(三菱電機株式会社パワーデバイス製作所)

講演時間
一般講演(EE)発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
IEE-SPC 半導体電力変換研究会(IEE-SPC)   [今後の予定はこちら]
問合先  
EE 電子通信エネルギー技術研究会(EE)   [今後の予定はこちら]
問合先 丸田英徳
長崎大学大学院工学研究科
E-: h-u 
IEE-EDD 電子デバイス技術委員会(IEE-EDD)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2018-01-16 11:55:37


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