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★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)  副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

★電子ディスプレイ研究会(EID)
専門委員長 小南 裕子 (静岡大)  副委員長 木村 睦 (龍谷大)
幹事 伊達 宗和 (NTT), 山口 雅浩 (東工大)
幹事補佐 山口 留美子 (秋田大), 新田 博幸 (ジャパンディスプレイ), 中田 充 (NHK), 野中 亮助 (東芝), 奥野 武志 (ファーウェイ), 志賀 智一 (電通大)

日時 2017年12月22日(金) 10:30~17:00

会場 京都大学桂キャンパス A1棟地下1階 第1講義室(〒615-8510 京都市西京区京都大学桂A1.阪急桂駅からバス15分またはJR桂川駅からバス20分.http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.htm.京都大学 木本恒暢.075-383-2300)

議題 Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術

12月22日(金) 午前 (10:30~12:00)

(1) 10:30 - 10:45
薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果
○中井雄也・石河泰明・浦岡行治(奈良先端大)

(2) 10:45 - 11:00
高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治(阪電通大)・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元(産総研)

(3) 11:00 - 11:15
高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
○西畑凜哉・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・日高淳輝・松浦秀治(阪電通大)・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元(産総研)

(4) 11:15 - 11:30
Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~
○日高淳輝・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・松浦秀治(阪電通大)・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元(産総研)

(5) 11:30 - 11:45
Si太陽電池とLEDマトリクスからなる超高出力トランジスタとサイリスタ
○岡本研正(光半導体デバイス応用技術研)

(6) 11:45 - 12:00
薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電
○三澤慶悟・冨岡圭佑・三宅康平・木村 睦(龍谷大)

−−− 昼食 ( 75分 ) −−−

12月22日(金) 午後 (13:15~15:15)

(7) 13:15 - 13:30
GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
○髙木 瞭(龍谷大)・梅田鉄馬(奈良先端大)・松田時宜(龍谷大)・上沼睦典(奈良先端大)・木村 睦(龍谷大)

(8) 13:30 - 13:45
レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定
○野村竜生・荒牧達也・松田時宜(龍谷大)・梅田鉄馬・上沼睦典(奈良先端大)・木村 睦(龍谷大)

(9) 13:45 - 14:00
Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process (PnP)
○Xudongfang Wang・Yasuaki Ishikawa・Shinji Araki・Yukiharu Uraoka(NAIST)・Seokwoo Jeon(KAIST)

(10) 14:00 - 14:15
IGZO薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム
○山川大樹・柴山友輝・生島恵典・杉崎澄生(龍谷大)・宮前義範(ローム)・木村 睦(龍谷大)

(11) 14:15 - 14:30
アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス
○田中 遼・杉崎澄生・木村 睦(龍谷大)

(12) 14:30 - 14:45
強誘電体キャパシタを用いたニューラルネットワークのシミュレーション
○小川功人・横山朋陽・木村 睦(龍谷大)

(13) 14:45 - 15:00
シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響
○平出 惇・山口正樹(芝浦工大)・増田陽一郎(八戸工大)

(14) 15:00 - 15:15
ミストCVD法を用いたGaSnO薄膜の特性評価
○岡本龍吾・福嶋大貴・松田時宜・木村 睦(龍谷大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

12月22日(金) 午後 (15:30~17:00)

(15) 15:30 - 15:45
Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
○西口尚希・内海弘樹・原 明人(東北学院大)

(16) 15:45 - 16:00
薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証
○三宅康平・冨岡圭佑・三澤慶悟・木村 睦(龍谷大)

(17) 16:00 - 16:15
Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果
○吉岡尚輝・秋田佳輝・部家 彰・松尾直人(兵庫県立大)・小濱和之・伊藤和博(阪大)

(18) 16:15 - 16:30
円柱状Ge膜のFLA結晶化における光学的バンドギャップの効果
○吉岡尚輝・部家 彰・松尾直人・秋田佳輝(兵庫県立大)

(19) 16:30 - 16:45
DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討
○中野 響・松尾直人・部屋 彰・高田忠雄・山名一成(兵庫県立大)・佐藤 旦・横山 新(広島大)・大村泰久(関西大)

(20) 16:45 - 17:00
グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討
○松尾直人・部家 彰(兵庫県立大)

一般講演:発表 10 分 + 質疑応答 5 分


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

2018年1月30日(火) 機械振興会館 [未定] テーマ:先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集)
2018年2月8日(木) 東京大学/本郷 [11月20日(月)] テーマ:配線・実装技術と関連材料技術
2018年2月28日(水) (開催日変更) 北海道大学百年記念会館 [12月20日(水)] テーマ:機能ナノデバイスおよび関連技術
2018年3月8日(木) 東レ総合研修センター [1月19日(金)] テーマ:回路デバイス境界技術領域合同研究会

【問合先】
黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-mail: e3

☆EID研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

2018年1月25日(木)~26日(金) (予定) 静岡大学 浜松キャンパス [10月20日(金)] テーマ:発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会
2018年3月8日(木) 東レ総合研修センター [1月19日(金)] テーマ:回路デバイス境界技術領域合同研究会


Last modified: 2017-10-18 12:59:09


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