5月16日(木) 午後
13:30 - 17:00 |
| (1) |
13:30-13:55 |
様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価 |
○森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） |
| (2) |
13:55-14:20 |
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み |
○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）・大島 武（原子力機構） |
| (3) |
14:20-14:45 |
カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス |
○藤田陽平・高野 泰・井上 翼・中野貴之（静岡大） |
| (4) |
14:45-15:10 |
中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価 |
○渥美勝浩・三宅亜紀・三村秀典・井上 翼・青木 徹・中野貴之（静岡大） |
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15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (5) |
15:20-15:45 |
γ-Al2O3/Si基板上のPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサの受信感度測定と音圧マッピング |
○西村将人・尾崎勝弥・赤井大輔・石田 誠（豊橋技科大）・岡田長也（本多電子） |
| (6) |
15:45-16:10 |
表面窒化によるGaAsN混晶の形成 |
○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田 浩（豊橋技科大） |
| (7) |
16:10-16:35 |
The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by X-ray penetration method |
○Muthusamy Omprakash・Mukannan Arivanandhan・Raman Aun Kumar・Hiroshi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Hiroshi Ikeda・Hirokazu Tatsuoka（Shizuoka Univ.）・Yasunori Okano（Osaka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Sridharan Moorth Babu（Anna Univ.）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） |
| (8) |
16:35-17:00 |
収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 |
○鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振）・下村 勝・石田明広・池田浩也（静岡大） |
5月17日(金) 午前
09:30 - 16:45 |
| (9) |
09:30-09:55 |
Investigation of monodispersed ZnO nanostructures for dye sensitized solar cells application |
○Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） |
| (10) |
09:55-10:20 |
Investigations of mesoporous TiO2 spheres as active and scattering layers in dye-sensitized solar cells |
○Jayaram Archana・Mani Navaneethan・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） |
| (11) |
10:20-10:45 |
Low cost synthesized carbon materials as a photo cathode for dye sensitized solar cells |
○Rajan Karthikeyan・Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Mukannan Arivanandhan・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） |
| (12) |
10:45-11:10 |
Surface Modified FTO Thin Films for Front Electrodes in Dye Sensitized Solar Cells |
○Devinda Liyanage・Kenji Murakami（Shizuoka Univ.） |
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11:10-11:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (13) |
11:20-11:45 |
電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 |
熊崎祐介・神保亮平・谷田部然治・○佐藤威友（北大） |
| (14) |
11:45-12:10 |
Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature
-- Toward room temperature operation -- |
○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Arup Samanta（Shizuoka Univ.）・Le The Anh（JAIST）・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Hiroshi Mizuta（JAIST/Southampton Univ.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） |
| (15) |
12:10-12:35 |
電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討 |
○今井裕理・葛西誠也（北大） |
| |
12:35-13:30 |
昼食 （ 55分 ） |
| (16) |
13:30-14:05 |
［招待講演］シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用 |
○鵜殿治彦（茨城大） |
| (17) |
14:05-14:30 |
CMOSイメージセンサ技術を用いたファブリペロー干渉計による非標識バイオセンサ |
○小澤 遼・高橋一浩・大山泰生・二川雅登・太斎文博・石田 誠・澤田和明（豊橋技科大） |
| (18) |
14:30-14:55 |
CuとFeを担持したTiO2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価 |
○山田良隆・渥美 剛・白木 遼・以西雅章（静岡大）・安田洋司・星 陽一（東京工芸大） |
| (19) |
14:55-15:20 |
高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 |
○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） |
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15:20-15:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (20) |
15:30-15:55 |
LiMn2O4薄膜の電池特性の改善 |
○野口貴史・丹羽彬夫・木村将士・柴田智志・以西雅章・冨田靖正（静岡大） |
| (21) |
15:55-16:20 |
Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon by Ge codoping |
○Mukannan Arivanandhan（Shizuoka Univ.）・Raira Gotoh・Kozo Fujiwara（Tohoku Univ.）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）・Satoshi Uda（Tohoku Univ.）・Makoto Konagai（Tokyo Inst. of Tech.） |
| (22) |
16:20-16:45 |
Hydrothermal Synthesis of ZnO Nanowire Network using Zinc Acetate Dyhydrate for the DSSC Application |
○Rangga Winantyo・Kenji Murakami（Shizuoka Univ.） |
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