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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 石井 清
副委員長 上村 喜一
幹事 松浦 徹, 豊田 誠治
幹事補佐 清水 英彦, 竹村 泰司

日時 2006年 8月 7日(月) 13:30 - 17:05
2006年 8月 8日(火) 09:30 - 12:40
議題 電子部品・材料,一般 
会場名 岩手大学工学部 
住所 〒020-8551 岩手県盛岡市上田4-3-5
交通案内 JR盛岡駅から岩手県交通バス「上田四丁目」又は「工学部東口」下車。JR盛岡駅から徒歩の場合,約25分。
http://www.iwate-u.ac.jp/campusannai/ueda2.html
会場世話人
連絡先
岩手大学工学部 道上 修
019-621-6386

8月7日(月) 午後 
13:30 - 17:05
(1) 13:30-13:55 rfマグネトロンスパッタリング法によるガラス基板上GaドープZnO薄膜特性のGa濃度依存性 那須紀光長谷部博昭武藤幸一菊地新司道上 修岩手大
(2) 13:55-14:20 Ar+H2ガス雰囲気中でのGaドープZnOスパッタ薄膜の成長 武藤幸一那須紀光長谷部博昭道上 修岩手大
(3) 14:20-14:45 MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成 輪島寿夫廣瀬文彦山形大
(4) 14:45-15:10 スパッタビーム堆積法によるZnO薄膜の作製及び検討 野口 亨川上 歩東出陽幸清水英彦丸山武男岩野春男川上貴浩新潟大)・星 陽一東京工芸大
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(5) 15:25-15:50 CVD法によるアナタース酸化チタン薄膜の低温形成 廣瀬文彦伊藤正志松島 優山形大
(6) 15:50-16:15 プラズマアシスト電子ビーム蒸着法によるTiO2薄膜の高速成膜 星 陽一川口茂利神谷 攻東京工芸大)・清水英彦新潟大
(7) 16:15-16:40 Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長 三浦仁嗣栗本大詩黒木雄一郎安井寛治高田雅介赤羽正志長岡技科大
(8) 16:40-17:05 Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長 田村和之深田祐介黒木雄一郎高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大
8月8日(火) 午前 
09:30 - 12:40
(9) 09:30-09:55 EuBa2Cu3O7-δ薄膜用CeO2バッファ層の厚膜化 菊地景大佐久間 純藤原 聡太田靖之道上 修岩手大
(10) 09:55-10:20 マグネトロンスパッタリングで作製した厚膜CeO2バッファ層の表面性状の制御 太田靖之佐久間 純木村 豊益子弘識道上 修岩手大
(11) 10:20-10:45 厚膜Sm2O3バッファ層上に成長したEuBa2Cu3O7-d薄膜の超伝導特性 木村 豊太田靖之宇沼裕也道上 修岩手大
(12) 10:45-11:10 対向ターゲットマグネトロンスパッタリング法を用いた大型超伝導薄膜に対する熱処理の効果 武蔵慎吾早坂伊織高橋幸也道上 修岩手大
  11:10-11:25 休憩 ( 15分 )
(13) 11:25-11:50 対向ターゲットマグネトロンスパッタ法による大面積SmBa2Cu3O7-δ薄膜の作製に関する研究 高橋幸也武蔵慎吾木村 豊菊地新司道上 修岩手大
(14) 11:50-12:15 粉体型磁性木材の構造と電波吸収特性(4) 佐藤光治岡 英夫岩手大)・浪崎安冶岩手県工技センター
(15) 12:15-12:40 左手系媒質によるボール型レンズ 米澤隆一大坊真洋田山典男岩手大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水 英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E--mail: engi-u

道上 修(岩手大学)
TEL 019-621-6386, FAX 019-621-6393
E--mail: mi-u 


Last modified: 2006-05-30 18:52:58


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