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★マイクロ波研究会（MW）
専門委員長　黒木太司 (呉高専)
副委員長　中津川征士 (NTT)，九鬼孝夫 (NHKエンジニアリングシステム)，山中宏治 (三菱電機)
幹事　山之内慎吾 (NEC)，山口陽 (NTT)
幹事補佐　大平昌敬 (埼玉大)，石川亮 (電通大)

★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　原直紀 (富士通研)　　副委員長　前澤宏一 (富山大)
幹事　葛西誠也 (北大)，松永高治 (NEC)
幹事補佐　鈴木寿一 (北陸先端大)，新井学 (新日本無線)

日時　2015年 1月15日(木)　13：50～17：00
　　　2015年 1月16日(金)　09：00～16：35

会場機械振興会館（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．東京メトロ日比谷線：神谷町駅下車徒歩10分，JR：浜松町駅下車徒歩20分，都営地下鉄三田線：御成門駅・大江戸線：赤羽橋駅下車徒歩10分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html．03-3433-6691）

議題化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般

1月15日(木) 午後マイクロ波一般 / MW(1) （13：50～15：05）
座長: 佐藤潤二（パナソニック）

(1) 13:50 - 14:15
矩形波駆動平衡形ダイオードミクサ
○濱　穂並・伊東健治・野口啓介・廣田哲夫・牧野　滋（金沢工大）

(2) 14:15 - 14:40
複素自己組織化マップ画像処理による複数周波数を用いたミリ波アクティブイメージング
○有馬悠也・廣瀬　明（東大）

(3) 14:40 - 15:05
120GHz帯無線リンクにおけるミリ波モジュール温度特性安定化の検討
○枚田明彦・竹内　淳（NTT）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

1月15日(木) 午後マイクロ波一般 / MW(2) （15：20～17：00）
座長: 枚田明彦（NTT）

(4) 15:20 - 15:45
災害時に有効なマルチモード可搬型VSAT
○末松憲治・亀田　卓（東北大）・小熊　博（富山高専）・笹沼　満（スカパーJSAT）・江口　茂（アイ・エス・ビー）・黒田幸明（サイバー創研）

(5) 15:45 - 16:10
5.8GHzマイクロ波電力伝送と両立可能な920MHz帯ワイヤレスセンサネットワークシステム
○吉田賢史（JAXA）・長谷川直輝（京大）・野地拓匡（首都大東京）・金子智喜（日大）・朱　玄宰（東大）・前川千咲（アーズ）・山澤裕之（チノー）・漆原育子・佐藤　光（アーズ）・川崎繁男（JAXA）

(6) 16:10 - 16:35
ロケット内無線センサネットワーク用デュアルバンドWiCoPTシステムにおける信号干渉に関する検討
○高森　凌・西川健二郎（鹿児島大）・丸　祐介・川崎繁男（JAXA）

(7) 16:35 - 17:00
X線観測用誘電体マイクロカロリメータに向けた極低温動作下における高利得X帯低雑音増幅器の耐放射線性の検討
○野地拓匡（首都大東京）・宮地晃平（JAXA）・菊池貴大（東大）・山崎典子・満田和久・川崎繁男（JAXA）

1月16日(金) 午前 Industrial Session (1) / MW(3) （09：00～10：25）
座長: 山口裕太郎（三菱電機）

(8) 09:00 - 09:35
［招待講演］社会インフラシステムのなかのGaNデバイス
○山中宏治（三菱電機）

(9) 09:35 - 10:00
A 10 MHz to 12 GHz Low-Distortion High-Speed SP4T Switch for RF ATE Using TaON Passivation GaN HEMTs
○Masayuki Kimishima・Satosi Koyama・Masao Onishi（Advantest Lab,）

(10) 10:00 - 10:25
X帯310W高出力GaN HEMT増幅器
○菊池　憲・西原　信・山本　洋・水野慎也・八巻史一・山本高史（住友電工デバイス・イノベーション）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

1月16日(金) 午前 Industrial Session (2) / ED （10：40～11：55）
座長: 鈴木寿一（北陸先端大）

(11) 10:40 - 11:05
X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発
○新井田佳孝・鎌田陽一・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・岡本直哉・佐藤　優・増田　哲・渡部慶二（富士通研）

(12) 11:05 - 11:30
シリコン基板上GaN-HEMTの高周波特性の改善
○眞壁勇夫・市川弘之・由比圭一・河内剛志・井上和孝・中田　健（住友電工）

(13) 11:30 - 11:55
過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大）

−−−　昼食　（ 65分）　−−−

1月16日(金) 午後 Industrial Session (3) / MW(4) （13：00～14：40）
座長: 楳田洋太郎（東京理科大）

(14) 13:00 - 13:25
電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用
○佐藤　優・芝　祥一・川野陽一・松村宏志・高橋　剛・鈴木俊秀・中舍安宏・原　直紀（富士通）

(15) 13:25 - 13:50
エンベロープΔΣ変調器とH-bridge Class-D GaN 電力増幅器を用いた800MHz帯デジタルドハティ送信機
○元井桂一（NEC）・Andreas Wentzel（FBH）・谷尾真明・堀　真一・早川　誠（NEC）・Wolfgang Heinrich（FBH）・國弘和明（NEC）

(16) 13:50 - 14:15
エンベロープデルタシグマ変調を用いた低歪高効率1-bit送信機
○谷尾真明・堀　真一・早川　誠・田和憲明・元井桂一・國弘和明（NEC）

(17) 14:15 - 14:40
フィードバックループの外部に可変分周器を接続した低位相雑音PLLシンセサイザ
○水谷浩之・樋口和英・田島賢一・檜枝護重（三菱電機）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

1月16日(金) 午後マイクロ波一般 / MW(5) （14：55～16：35）
座長: 佐藤優（富士通）

(18) 14:55 - 15:20
3値出力ΔΣ変調器を用いた直交変調型EPWM送信機におけるD級電力増幅器の2値および3値駆動の比較
○染谷　和・野田昂志・楳田洋太郎・小澤佑介（東京理科大）

(19) 15:20 - 15:45
包絡線パルス幅変調方式送信機のFPGA実装に向けた4経路高次帯域通過トランスバーサルフィルタの設計
○渡邉一陽・藤岡翔太・矢野　崇・楳田洋太郎・小澤佑介（東京理科大）

(20) 15:45 - 16:10
Slot Design for Aperture Illumination Control of RLSA with High Loss Substrates
○Tung Nguyen・Makoto Ando・Jiro Hirokawa（Tokyo Inst. of Tech.）・Manuel Sierra Castaner（UPM）

(21) 16:10 - 16:35
入力反射特性を用いたパラメータ抽出法によるフィルタリングアンテナの設計
○山中一馬・大平昌敬・馬　哲旺（埼玉大）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演：発表 30 分＋質疑応答 5 分

◆IEEE MTT-S Japan Chapter，IEEE MTT-S Kansai Chapter，IEEE MTT-S Nagoya Chapter 協賛

☆MW研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

2月　休会
3月5日(木)～6日(金)　福井大学　　テーマ：マイクロ波集積回路／一般
4月16日(木)～17日(金)　機械振興会館　[2月10日(火)]　テーマ：無線電力伝送技術を支えるマイクロ波技術・一般

【問合先】
大平昌敬（埼玉大学）
TEL&FAX: 048-858-3635
E-mail:

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もしくは
山之内慎吾（NEC）
TEL: 044-431-7616, FAX: 044-431-7642
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☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

2月5日(木)～6日(金)　北海道大学（百年記念会館）　[12月5日(金)]　テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術
4月16日(木)～17日(金)　東北大通研ナノスピン実験施設　[2月13日(金)]　テーマ：有機デバイス・酸化物デバイス・一般

【問合先】
葛西誠也（北海道大）
TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004
E-mail :