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研究会終了後に懇親会を開催いたします． ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大) 副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター) 幹事 小野 行徳 (NTT)， 野村 晋太郎 (筑波大) 幹事補佐 笹子 佳孝 (日立) 日時 2011年 7月 4日(月) 09：00～17：40 会場 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー（〒464-8603 愛知県名古屋市千種区不老町．JR名古屋駅から名古屋市営地下鉄 「名古屋大学」 下車、３番出口から徒歩３分．http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html．名古屋大学 大学院工学研究科 宮崎誠一．052-789-5447） 議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 7月4日(月) （09：00～17：40） (1) 09:00 - 09:20 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） (2) 09:20 - 09:40 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 ○影島博之・日比野浩樹・山口浩司（NTT）・永瀬雅夫（徳島大） (3) 09:40 - 10:00 Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価 ○山田泰之・石黒暁夫（東工大）・日野史郎・三浦成久・今泉昌之・炭谷博昭（三菱電機）・徳光永輔（東工大） (4) 10:00 - 10:20 Defect analysis of HfO2/In0.53Ga0.47As interface using capacitance-voltage and conductance methods ○Darius Zade・Ryuji Hosoi・Ahmet Parhat・Kuniyuki Kakushima・Kazuo Tsutsui・Akira Nishiyama・Nobuyuki Sugii・Kenji Natori・Takeo Hattori・Hiroshi Iwai（Tokyo Inst. of Tech.） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (5) 10:40 - 11:00 Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 ○大野真也・井上 慧・森本真弘・新江定憲・豊島弘明（横浜国大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・尾形祥一（横浜国大）・安田哲二（産総研）・田中正俊（横浜国大） (6) 11:00 - 11:20 XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 ○石原由梨（芝浦工大）・渋谷寧浩・五十嵐 智（東京都市大）・小林大輔（JAXA）・野平博司（東京都市大）・上野和良（芝浦工大）・廣瀬和之（JAXA） (7) 11:20 - 11:40 Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 櫻井蓉子・大毛利健治・山田啓作（筑波大）・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・白石賢二・○野村晋太郎（筑波大） (8) 11:40 - 12:00 Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure ○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） (9) 12:00 - 12:20 Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (10) 13:20 - 13:40 Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） (11) 13:40 - 14:00 Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） (12) 14:00 - 14:20 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） (13) 14:20 - 14:40 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） (14) 14:40 - 15:00 ハフニウム酸化物への元素添加効果 ～ 第一原理計算による検討 ～ 中山利紀・川崎 裕・○丸泉琢也（東京都市大） (15) 15:00 - 15:20 ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響 ○生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (16) 15:40 - 16:00 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） (17) 16:00 - 16:20 Evaluation of Electrical Property at SrTiO3 Bicrystal Interface by EBIC Tetsuji Kato・○Son Phu Thanh Pham・Yoshiaki Nakamura・Jun Kikkawa・Akira Sakai（Osaka Univ.） (18) 16:20 - 16:40 RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） (19) 16:40 - 17:00 グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 ○堀田昌宏（奈良先端大/JST）・山崎浩司・町田絵美（奈良先端大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大/JST） (20) 17:00 - 17:20 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 ○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） (21) 17:20 - 17:40 低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法 ○鈴木良輔・渡辺重佳（湘南工科大） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会共催 ◎研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください． ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月25日(木)～26日(金) (予定) 富山県民会館 [6月6日(月)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 10月20日(木)～21日(金) 東北大学未来研 [8月19日(金)] テーマ：プロセス科学と新プロセス技術 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o          Last modified: 2011-04-19 09:39:53 |
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