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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大野 裕三 (筑波大) 副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事 黒田 理人 (東北大) 幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 日時 2016年 1月28日(木) 10：00～16：20 会場 機械振興会館6F 6-66会議室（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 1月28日(木) 午前 （10：00～12：00） (1) 10:00 - 10:30 ［招待講演］Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness Down to 2 nm ○Xiao Yu・Jian Kang・Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. of Tokyo） (2) 10:30 - 11:00 ［招待講演］Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性 ○小田 穣・佐久間 究・上牟田雄一・齋藤真澄（東芝） (3) 11:00 - 11:30 ［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研） (4) 11:30 - 12:00 IEDM2015を振り返って 高柳真理子（東芝） −−− 昼食 （ 90分 ） −−− 1月28日(木) 午後 （13：30～16：20） (5) 13:30 - 14:00 ［招待講演］ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 ○町田友樹・守谷 頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川 生・増渕 覚（東大）・上野啓司（埼玉大） (6) 14:00 - 14:30 ［招待講演］Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス ○竹中 充・金 栄現・韓 在勲・亢 健・一宮佑希・程 勇鵬・朴 珍權・金 相賢・高木信一（東大） (7) 14:30 - 15:00 ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） −−− 休憩 （ 20分 ） −−− (8) 15:20 - 15:50 ［招待講演］次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ ○池上一隆・野口紘希・高谷 聡・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・北川英二・落合隆夫・下村尚治・才田大輔・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） (9) 15:50 - 16:20 ［招待講演］極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET ○井田次郎（金沢工大） 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 3月3日(木)～4日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月18日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月8日(金)～9日(土) 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [2月12日(金)] テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2016-01-06 11:05:28 |
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