11月11日(木) 午前
10:00 - 11:40 |
| (1) |
10:00-10:25 |
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性 |
三浦仁嗣・大谷孝史・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治（長岡技科大） |
| (2) |
10:25-10:50 |
RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 |
○荒木 努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） |
| (3) |
10:50-11:15 |
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 |
○本田 徹・林 才人・後藤大雅・井垣辰浩（工学院大） |
| (4) |
11:15-11:40 |
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 |
○田辺 悟・西尾 礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之（東工大） |
11月11日(木) 午後
13:00 - 17:15 |
| (5) |
13:00-13:25 |
SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長 |
○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・江龍 修（名工大） |
| (6) |
13:25-13:50 |
減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN |
○藤田浩平・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研） |
| (7) |
13:50-14:15 |
電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価 |
○島原佑樹・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） |
| |
14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (8) |
14:30-14:55 |
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 |
○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大） |
| (9) |
14:55-15:20 |
空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ |
○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） |
| (10) |
15:20-15:45 |
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 |
○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大） |
| (11) |
15:45-16:10 |
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 |
○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大） |
| |
16:10-16:25 |
休憩 （ 15分 ） |
| (12) |
16:25-16:50 |
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 |
○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） |
| (13) |
16:50-17:15 |
ミリ波高出力GaN-HEMT |
○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田 哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） |
11月12日(金) 午前
10:00 - 11:40 |
| (14) |
10:00-10:25 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 |
○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） |
| (15) |
10:25-10:50 |
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 |
○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉 勉・加地 徹（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車） |
| (16) |
10:50-11:15 |
GaN自立基板を用いた縦型ダイオード |
○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） |
| (17) |
11:15-11:40 |
低転位GaN基板上縦型HFET |
○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫（住友電工） |
11月12日(金) 午後
13:00 - 17:00 |
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【パネルセッション】「GaNトランジスターの進展と課題」
１）ノーマリオフのためのデバイス構造（70分） 司会：橋詰保（北大）
（休憩10分）
２）電流変動（コラプス）の機構と制御法（70分） 司会：橋詰保（北大）
（休憩10分）
３）GaNデバイスの長所・弱点（70分） 司会：加地徹（豊田中研） |
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