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★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 石井 清 副委員長 上村 喜一 幹事 北本 仁孝， 松浦 徹 幹事補佐 清水 英彦， 豊田 誠治 ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 東盛 裕一 副委員長 栖原 敏明 幹事 吉村 了行， 八田 竜夫 幹事補佐 田所 貴志 ★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 和保 孝夫 副委員長 葛原 正明 幹事 田中 毅， 新井 学 幹事補佐 高谷 信一郎 日時 2005年10月13日(木) 09：30～18：00 2005年10月14日(金) 09：00～16：30 2005年10月15日(土) 09：00～12：00 会場 立命館大学 びわこ・くさつキャンパス ローム記念館5階大会議室（〒525-8577 滋賀県草津市野路東１丁目1-1．JR南草津駅から近江鉄道バスで「立命館大学行き」または「立命館大学経由飛島グリーンヒル行き」にて約8分「立命館大学」下車．http://www.ritsumei.ac.jp/mng/gl/koho/annai/profile/access/．理工学部 電子光情報工学科 名西やすし．077-566-1111） 議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 （窒化物半導体国際ワークショップ） 10月13日(木) 午前 特別セッションテーマ ”InNはどこまでよくなったか？” （09：30～12：20） (1) 09:30 - 09:50 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 ○武藤大祐・直井弘之・荒木 努・北川幸雄・黒内正仁・羅 ヒョンソク・名西やすし（立命館大） (2) 09:50 - 10:10 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性 ○三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大） (3) 10:10 - 10:30 ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ～ 無極性InNの検討 ～ ○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木 努・直井弘之・名西やすし（立命館大） (4) 10:30 - 10:50 原子状水素照射によるInNの極性評価 ○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木 彰・荒木 努・名西やすし（立命館大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (5) 11:00 - 11:20 RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価 ○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） (6) 11:20 - 11:40 RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 ○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木 努・名西やすし（立命館大） (7) 11:40 - 12:00 AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価 ○寺嶋 亘・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大） (8) 12:00 - 12:20 CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果 ○永井泰彦・三輪浩士・丹羽弘和・橋本明弘・山本あきお（福井大） 10月13日(木) 午後 特別セッションテーマ "GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか？" （13：30～18：00） (9) 13:30 - 13:50 C帯170W出力GaN-HEMTの開発 ○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木 隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男（東芝） (10) 13:50 - 14:10 Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs ○Kenji Shiojima・Takashi Makimura・Tetsuya Suemitsu・Naoteru Shigekawa・Masanobu Hiroki・Haruki Yokoyama（NTT） (11) 14:10 - 14:30 高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs ○熊倉一英・牧本俊樹（NTT） (12) 14:30 - 14:50 リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT ○中田 健・川崎 健・八重樫誠司（ユーディナデバイス） (13) 14:50 - 15:10 GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ ○中澤敏志・上田哲三・井上 薫・田中 毅（松下電器）・石川博康・江川孝志（名工大） (14) 15:10 - 15:30 Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価 ○片山義章・石川博康・江川孝志（名工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (15) 15:40 - 16:00 AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程 ○小谷淳二・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保（北大） (16) 16:00 - 16:20 GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 ○檜木啓宏（立命館大）・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎（新機能素子研究開発協会）・荒木 努（立命館大）・鈴木 彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大） (17) 16:20 - 16:40 AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク ○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之（新機能素子研究開発協会）・荒木 努（立命館大）・鈴木 彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大） (18) 16:40 - 17:00 Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 ○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金 聖祐・鈴木敏正（日本工大） (19) 17:00 - 17:20 n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性 ○重川直輝・西村一巳・横山春喜（NTT）・宝川幸司（神奈川工科大） (20) 17:20 - 17:40 RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成 ○及川 武・佐藤威友・長谷川英機・橋詰 保（北大） (21) 17:40 - 18:00 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET ○東脇正高・小野島紀夫・松井敏明（NICT） 10月14日(金) 午前 結晶成長・特性評価 （09：00～14：00） (22) 09:00 - 09:20 四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション ○木村健司・松岡隆志（東北大） (23) 09:20 - 09:40 PLD法により低温成長したⅢ族窒化物の特性 ○藤岡 洋（東大/神奈川科学技術アカデミー）・太田実雄・井上 茂・小林 篤・岡本浩一郎（東大）・金 太源・松木伸行（神奈川科学技術アカデミー） (24) 09:40 - 10:00 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積 ○小林俊章・平山航史・江川慎一・秋山誠和子・杉本浩一・馬場太一・本田 徹・川西英雄（工学院大） (25) 10:00 - 10:20 GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討 ○馬場太一・秋山誠和子・江川慎一・小林俊章・蓮沼範行・本田 徹・川西英雄（工学院大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (26) 10:30 - 10:50 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価 ○増田規宏・石賀 章・劉 玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・原口雅也・桑野範之（九大） (27) 10:50 - 11:10 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響 ○勝野琢弥・大西 孝・劉 玉懐・黎 大兵（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・三宅秀人・平松和政（三重大） (28) 11:10 - 11:30 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長 ○土屋法隆・クリッシュナン バラクリッシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・下野健二・野呂匡志・高木 俊（イビデン）・古庄智明（シクスオン） (29) 11:30 - 11:50 高品質SiCウェーハの開発 ○古庄智明・小林良平・佐々木 信・林 利彦・木下博之・塩見 弘（シクスオン） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− (30) 13:00 - 13:20 ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ ○古川拓也・木村 健・佐藤威友・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保（北大） (31) 13:20 - 13:40 AlGaN/GaNへテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ ○松尾一心・木村 健・長谷川英機・橋詰 保（北大） (32) 13:40 - 14:00 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成 ○藤井克司（JST）・小野雅人・伊藤高志・岩城安浩（東京理科大）・大川和宏（東京理科大/JST） 10月14日(金) 午後 特別セッションテーマ "GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは？" （14：00～16：30） (33) 14:00 - 14:20 高効率・高出力GaN系半導体レーザ ○蔵本恭介・大野彰仁（三菱電機）・山田智雄・岡川広明（三菱電線）・川津善平・川崎和重・冨田信之・塩沢勝臣・金本恭三・渡辺 寛・竹見政義・八木哲哉（三菱電機）・村田博昭（三菱電線）・島 顕洋（三菱電機） (34) 14:20 - 14:40 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ ○狩野隆司・野村康彦・畑 雅幸・井上大二朗・庄野昌幸（三洋電機） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (35) 14:50 - 15:10 ＲＦ分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○菊池昭彦・多田 誠・岸野克巳（上智大） (36) 15:10 - 15:30 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測 ○平山秀樹・高野隆好（理研）・大橋智昭（理研/埼玉大）・藤川紗千恵（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・近藤行廣（理研） (37) 15:30 - 15:50 InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係 ○金田昭男・船戸 充（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大） (38) 15:50 - 16:10 InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光 ○船戸 充・小谷晃央・近藤 剛・西塚幸司（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大） (39) 16:10 - 16:30 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価 ○池永和正・生方映徳・山口 晃・阿久津仲男・藤居勤二・松本 功（大陽日酸） 10月15日(土) 午前 窒化物半導体に関するディスカッションセッション （09：00～12：00） (40) 09:00 - 10:00 １．GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばせるのか？ ディスカッションリーダー：塩島 謙次 内容：GaN電子デバイスの現状と課題のピックアップ エピとデバイス特性の相関 (41) 10:00 - 11:00 ２．内部量子効率100％を目指して ディスカッションリーダー：川上 養一 検討内容：極性とデバイス性能、ドーピング効率、 転位と発光効率、組成不均一性、点欠陥と発光。 (42) 11:00 - 12:00 ３．ナイトライド基板の将来 ディスカッションリーダー：碓井 彰 内容：気相成長法 vs.液相成長法 vs.フラックス法 vs.アンモノサーマル法 生産能力、コスト 一般講演（20）：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆窒化物半導体国際ワークショップ共催 ◎13日研究会終了後，下記のように懇親会を予定していますので是非御参加ください． 時間：１８：３０～２０：００ 場所：立命館大学 びわこ・くさつキャンパス ユニオンスクエア2階 レストラン ラ・ポーズ 会費：３０００円 ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月21日(金) 機械振興会館 [8月19日(金)] テーマ：光記録技術、一般 11月11日(金)～12日(土) 福井大学 [9月16日(金)] テーマ：薄膜プロセス・材料、一般 2006年1月20日(金) 機械振興会館 [11月10日(木)] テーマ：電池技術関連、一般 【問合先】 北本仁孝（東京工業大学） TEL 045-924-5424, FAX 045-924-5433 E-mail:      iem    松浦徹（ATR） TEL 0774-95-1173, FAX 0774-95-1178 E-mail: h matr ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月3日(木)～4日(金) 九州工業大学 [8月18日(木)] テーマ：超高速伝送・変復調技術、超高速光・電子デバイス技術、広帯域ＷＤＭデバイス技術、一般 12月9日(金) 機械振興会館 [9月15日(木)] テーマ：半導体レーザ関連技術，及び一般 2006年1月31日(火)～2006年2月2日(木) 神戸大学 [11月11日(金)] テーマ：フォトニックNW・デバイス，フォトニック結晶・ファイバとその応用，光集積回路，光導波路素子，光スイッチング，導波路解析，及び一般 【問合先】 吉村了行 （ＮＴＴ） TEL 046-240-3249, FAX 046-240-4345 E-mail: r   yaecl  八田竜夫 （三菱電機） TEL 072-780-2653, FAX 072-780-2663 E-mail:  tlsi lco◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 11月17日(木) 佐賀大学 [9月16日(金)] テーマ：ミリ波技術／一般 11月25日(金) 中央電気倶楽部 [9月16日(金)] テーマ：半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性，信頼性一般 12月22日(木) 機械振興会館 [10月24日(月)] テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 2006年1月18日(水)～20日(金) 機械振興会館 [11月17日(木)] テーマ：化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス 2006年1月26日(木)～27日(金) 北海道大学 百年記念会館 大会議室 [11月16日(水)] テーマ：量子効果デバイス及び関連技術 【問合先】 田中 毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-mail:     pa  c 新井 学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-mail:   injr高谷 信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-mail:  crl  Last modified: 2005-10-07 21:40:06 |
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