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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 須原 理彦 (首都大)
副委員長 藤代 博記 (東京理科大)
幹事 大石 敏之 (佐賀大), 岩田 達哉 (富山県立大)
幹事補佐 小谷 淳二 (富士通研), 堤 卓也 (NTT)

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 古神 義則 (宇都宮大)
副委員長 河合 正 (兵庫県立大), 大久保 賢祐 (岡山県立大), 新庄 真太郎 (三菱電機)
幹事 清水 隆志 (宇都宮大), 佐藤 優 (富士通研)
幹事補佐 吉田 賢史 (鹿児島大), 高野 恭弥 (東京理科大)

日時 2020年 1月31日(金) 09:00 - 17:30
議題 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 
会場名 機械振興会館 地下3階6号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 •東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車 徒歩8分 •都営地下鉄三田線・・・・・・・・御成門駅下車 徒歩8分 •都営地下鉄大江戸線・・・・・・・赤羽橋駅下車 徒歩10分 •都営地下鉄浅草線・大江戸線・・・大門駅下車 徒歩10分 •JR山手線・京浜東北線・・・・・浜松町駅下車 徒歩15分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter;IEEE MTT-S Kansai Chapter;IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛
お知らせ ◎1月31日(金)研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
◎★★★(ご注意!)参加費については、下記をご覧ください ★★★
なお,IEEE MTT-S Japan Chapter 特別講演および IEEE MTT-S Japan Young Engineer Award特別講演の参加費は無料です.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(ED研究会, MW研究会)についてはこちらをご覧ください.

1月31日(金) 午前  MW研 一般講演
座長: 片山光亮 (早稲田大)
09:00 - 10:30
  09:00-09:05 委員長挨拶 ( 5分 )
(1) 09:05-09:30 リファレンスΔΣ変調器を用いたサイクルスリップによる複数PLL間の位相ずれの補正技術 ED2019-93 MW2019-127 池田 翔平井暁人堤 恒次津留正臣三菱電機
(2) 09:30-09:55 集中定数素子で構成した整合回路を用いたトリプレクサの基礎検討 ED2019-94 MW2019-128 大石元輝大島心平小山高専
(3) 09:55-10:20 SOM終端によるS11の校正に適する同軸給電型遮断円筒導波管の構造と各種液体の誘電率測定 ED2019-95 MW2019-129 柴田幸司八戸工大
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
1月31日(金) 午前  ED研 招待/一般講演
座長: 山本佳嗣(三菱電機)
10:30 - 13:10
(4) 10:30-11:20 [招待講演]5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望 ED2019-96 MW2019-130 井上和孝住友電工
(5) 11:20-11:45 表面活性化常温接合法によるGaN-on-Diamond HEMTの作製 ED2019-97 MW2019-131 檜座秀一藤川正洋滝口雄貴西村邦彦柳生栄治三菱電機)・松前貴司倉島優一高木秀樹産総研)・山向幹雄三菱電機
(6) 11:45-12:10 コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製 ED2019-98 MW2019-132 堀切文正福原 昇サイオクス)・渡久地政周三輪和希北大)・成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大
  12:10-13:10 休憩 ( 60分 )
1月31日(金) 午後  IEEE MTT-S Japan Chapter 特別講演
座長: 新庄真太郎(三菱電機)
13:10 - 14:10
(7) 13:10-14:00 [特別講演]2019年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告 ED2019-99 MW2019-133 半谷政毅三菱電機)・西川健二郎鹿児島大)・向井謙治村田製作所)・安部素実橘川雄亮幸丸竜太坂田修一神岡 純横溝真也三菱電機
  14:00-14:10 休憩 ( 10分 )
1月31日(金) 午後  テーマ: IEEE MTT-S Japan Young Engineer Award 特別講演
座長: 河合正(兵庫県立大)
14:10 - 15:35
(8) 14:10-14:35 [特別講演]THzイメージングに向けた高精度かつ高速な誘電率測定システム ED2019-100 MW2019-134 徐 照男濱田裕史松崎秀昭野坂秀之NTT
(9) 14:35-15:00 [特別講演]周期配列誘電体球準零屈折率メタマテリアルによる散乱抑制 ED2019-101 MW2019-135 高野佑磨真田篤志阪大
(10) 15:00-15:25 [特別講演]多入力多出力ワイヤレス給電システムの最大電力伝送効率 ED2019-102 MW2019-136 ズオン クアンタン岡田 実奈良先端大
  15:25-15:35 休憩 ( 10分 )
1月31日(金) 午後  ED研 一般講演
座長: 小谷淳二(富士通研)
15:35 - 16:35
(11) 15:35-16:00 TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析 ED2019-103 MW2019-137 大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大
(12) 16:00-16:25 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 ED2019-104 MW2019-138 南雲謙志木本大幾諏訪智之東北大)・寺本章伸広島大)・白田理一郎高谷信一郎国立交通大)・黒田理人須川成利東北大
  16:25-16:35 休憩 ( 10分 )
1月31日(金) 午後  MW研 招待講演
座長: 古神義則(宇都宮大)
16:35 - 17:30
(13) 16:35-17:25 [招待講演]ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 ED2019-105 MW2019-139 渡邊一世山下良美笠松章史NICT
  17:25-17:30 委員長挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
特別講演(Award特別講演)発表 20 分 + 質疑応答 5 分
特別講演(IEEE MTT-S JC)発表 45 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 45 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u
岩田 達哉(富山県立大学)
TEL : 0766-56-7500
E- :t_ipu- 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 吉田 賢史(鹿児島大)
E-: eee-u
もしくは
清水 隆志(宇都宮大)
E-: tccu-u 


Last modified: 2020-01-10 11:45:01


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