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研究会終了後に懇親会を開催いたします.


★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大)

日時 2009年 6月19日(金) 09:30~18:05

会場 東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室 (An401・402(〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1.東北沢駅より徒歩7分, 駒場東大前駅より徒歩10分または代々木上原駅より徒歩12分.http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html.東京大学 生産技術研究所 藤岡洋.03-5452-6342)

議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催)

6月19日(金) 午前 レギュラーセッション (09:30~11:50)

−−− 世話人挨拶 ( 5分 ) −−−

(1) 09:30 - 10:00
Geの材料物性ーSiとの比較
○伊藤公平(慶大)

(2) 10:00 - 10:20
分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ~ SiO2/Siとの違い ~
○渡邉孝信・恩田知弥・登坂 亮・山本英明(早大)

(3) 10:20 - 10:40
Si酸化における界面反応の第一原理計算
○秋山 亨(三重大)・影島博之(NTT)・植松真司(慶大)・伊藤智徳(三重大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(4) 10:50 - 11:20
GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術
○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本 学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功(阪大)

(5) 11:20 - 11:50
GeMIS界面欠陥の電気的性質
○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之(半導体MIRAIプロジェクト)・高木信一(半導体MIRAIプロジェクト/東大)

−−− 昼食 ( 50分 ) −−−

6月19日(金) 午後 レギュラーセッション (12:40~16:40)

(6) 12:40 - 13:00
Ge MOSデバイスの熱安定性 ~ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ~
○鎌田善己(MIRAI-東芝)・高島 章(東芝)・手塚 勉(MIRAI-東芝)

(7) 13:00 - 13:20
金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明(東大/JST)

(8) 13:20 - 13:40
ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明(名大)

(9) 13:40 - 14:00
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則(阪大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(10) 14:10 - 14:30
界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ~ Ge基板への絶縁膜形成 ~
○中島 寛・平山佳奈・楊 海貴・王 冬(九大)

(11) 14:30 - 14:50
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析
○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一(広島大)

(12) 14:50 - 15:10
LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明(名大)

(13) 15:10 - 15:30
低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲(半導体先端テクノロジーズ)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(14) 15:40 - 16:00
LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛(東芝)

(15) 16:00 - 16:20
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
○小原孝介・山下一郎(奈良先端大)・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹(半導体理工学研究センター)・浦岡行治(奈良先端大/JST)

(16) 16:20 - 16:40
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成
○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明(名大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

6月19日(金) 午後 ショートプレゼンテーション (16:50~17:05)

(17) 16:50 - 16:55
極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散
○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一(広島大)

(18) 16:55 - 17:00
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
○五月女真一・中山隆史(千葉大)

(19) 17:00 - 17:05
TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価
○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一(広島大)

6月19日(金) 午後 ポスターセッション (17:05~18:05)

ポスターボードのサイズ(1件当たり):
横90cm縦150cm

ショートプレゼンテーション以外の一般口頭発表者に対しても、
口頭発表で用いた図面をベースとしたポスター発表を歓迎いたします。希望者は、6月5日までに、宮崎(semiya@hiroshima-u.ac.jp)へご一報下さい。

−−− 懇親会 ( 90分 ) −−−


◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会共催

◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

6月24日(水)~26日(金) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [4月10日(金)] テーマ:第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009)
7月16日(木)~17日(金) 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 [5月13日(水)] テーマ:低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

【問合先】
川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E-mail geba


Last modified: 2009-04-27 21:16:32


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