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研究会終了後に懇親会を開催いたします.



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大)

日時 2009年 6月19日(金) 09:30 - 18:05
議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
会場名 東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室 (An401・402 
住所 〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1
交通案内 東北沢駅より徒歩7分, 駒場東大前駅より徒歩10分または代々木上原駅より徒歩12分
http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html
会場世話人
連絡先
東京大学 生産技術研究所 藤岡洋
03-5452-6342
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会共催
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

6月19日(金) 午前  レギュラーセッション
09:30 - 11:50
  09:25-09:30 世話人挨拶 ( 5分 )
(1) 09:30-10:00 Geの材料物性ーSiとの比較 ○伊藤公平(慶大)
(2) 10:00-10:20 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ~ SiO2/Siとの違い ~ ○渡邉孝信・恩田知弥・登坂 亮・山本英明(早大)
(3) 10:20-10:40 Si酸化における界面反応の第一原理計算 ○秋山 亨(三重大)・影島博之(NTT)・植松真司(慶大)・伊藤智徳(三重大)
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(4) 10:50-11:20 GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 ○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本 学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功(阪大)
(5) 11:20-11:50 GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之(半導体MIRAIプロジェクト)・高木信一(半導体MIRAIプロジェクト/東大)
  11:50-12:40 昼食 ( 50分 )
6月19日(金) 午後  レギュラーセッション
12:40 - 16:40
(6) 12:40-13:00 Ge MOSデバイスの熱安定性 ~ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ~ ○鎌田善己(MIRAI-東芝)・高島 章(東芝)・手塚 勉(MIRAI-東芝)
(7) 13:00-13:20 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明(東大/JST)
(8) 13:20-13:40 ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明(名大)
(9) 13:40-14:00 HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 ○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則(阪大)
  14:00-14:10 休憩 ( 10分 )
(10) 14:10-14:30 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ~ Ge基板への絶縁膜形成 ~ ○中島 寛・平山佳奈・楊 海貴・王 冬(九大)
(11) 14:30-14:50 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 ○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一(広島大)
(12) 14:50-15:10 LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明(名大)
(13) 15:10-15:30 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲(半導体先端テクノロジーズ)
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
(14) 15:40-16:00 LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛(東芝)
(15) 16:00-16:20 High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・山下一郎(奈良先端大)・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹(半導体理工学研究センター)・浦岡行治(奈良先端大/JST)
(16) 16:20-16:40 Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明(名大)
  16:40-16:50 休憩 ( 10分 )
6月19日(金) 午後  ショートプレゼンテーション
16:50 - 17:05
(17) 16:50-16:55 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一(広島大)
(18) 16:55-17:00 ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 ○五月女真一・中山隆史(千葉大)
(19) 17:00-17:05 TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 ○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一(広島大)
6月19日(金) 午後  ポスターセッション
17:05 - 18:05
  - ポスターボードのサイズ(1件当たり):
横90cm縦150cm

ショートプレゼンテーション以外の一般口頭発表者に対しても、
口頭発表で用いた図面をベースとしたポスター発表を歓迎いたします。希望者は、6月5日までに、宮崎(-u)へご一報下さい。
  18:05-19:35 懇親会 ( 90分 )

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E- geba 


Last modified: 2009-04-27 21:16:32


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