お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

有機エレクトロニクス研究会(OME) [schedule] [select]
専門委員長 松田 直樹 (産総研)
副委員長 森 竜雄 (愛知工大)
幹事 鴻野 晃洋 (NTT), 染谷 隆夫 (東大)
幹事補佐 梶井 博武 (阪大), 田口 大 (東工大)

日時 2016年 4月 8日(金) 10:55 - 17:40
2016年 4月 9日(土) 09:30 - 12:30
議題 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 
会場名 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 
住所 〒900-0006 沖縄県那覇市おもろまち3丁目1番1号
交通案内 ゆいレール おもろまち駅下車 徒歩10分
http://www.museums.pref.okinawa.jp/guidance/access_price/index.html
会場世話人
連絡先
九州大学システム情報 佐道泰造
092-802-3737
お知らせ ◎8日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

4月8日(金)  
10:55 - 17:40
(1) 10:55-11:20 固液界面におけるチトクロームcの固定化と直接電子移動反応に対する表面修飾の効果 SDM2016-1 OME2016-1 松田直樹岡部浩隆産総研
(2) 11:20-12:00 [招待講演]有機薄膜太陽電池の性能におよぼすMoO3陰極バッファーの効果 SDM2016-2 OME2016-2 景山 弘林 翔太郎長谷部大知石川岩道仲本裕介琉球大)・森宗太一郎香川高専
(3) 12:00-12:40 [招待講演]低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 SDM2016-3 OME2016-3 大見俊一郎前田康貴古山 脩廣木瑞葉東工大
  12:40-13:40 休憩 ( 60分 )
(4) 13:40-14:20 [招待講演]メソスコピック寸法のλ-DNA/SiO2/Si構造における正孔の非クーロンブロケード/ステアケース現象 SDM2016-4 OME2016-4 松尾直人高田忠雄部家 彰山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大
(5) 14:20-15:00 [招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 SDM2016-5 OME2016-5 志村洋介静岡大)・竹内和歌奈坂下満男黒澤昌志中塚 理財満鎭明名大
(6) 15:00-15:25 絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成 SDM2016-6 OME2016-6 茂藤健太松村 亮佐道泰造池上 浩宮尾正信九大
  15:25-15:35 休憩 ( 10分 )
(7) 15:35-16:00 金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成 SDM2016-7 OME2016-7 酒井崇嗣松村 亮佐道泰造宮尾正信九大
(8) 16:00-16:25 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 SDM2016-8 OME2016-8 草野欽太工藤和樹塘内功大坂口大成茂籐健太熊本高専)・本山慎一楠田 豊古田真浩サムコ)・中 庸行沼田朋子堀場製作所)・高倉健一郎角田 功熊本高専
(9) 16:25-16:50 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 SDM2016-9 OME2016-9 中谷太一原田大夢・○東 清一郎広島大
(10) 16:50-17:15 スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT SDM2016-10 OME2016-10 原田大成我喜屋風太安次富卓哉岡田竜弥野口 隆琉球大)・野田勘治諏訪 輝ギガフォトン)・池上 浩九大)・奥山哲雄東洋紡
(11) 17:15-17:40 パネル上システムのための青色半導体レーザアニーリングにより形成された高光伝導性シリコン薄膜 SDM2016-11 OME2016-11 コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ中尾浩太岡田竜弥野ロ 隆琉球大
4月9日(土)  
09:30 - 12:30
(12) 09:30-10:10 [招待講演]酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 SDM2016-12 OME2016-12 尹 聖民金 昭淨朴 珉智尹 多貞慶熙大
(13) 10:10-10:50 [招待講演]フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ SDM2016-13 OME2016-13 古田 守戸田達也辰岡玄悟曲 勇作高知工科大
(14) 10:50-11:15 デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ~ バックチャネルキャリア濃度の影響 ~ SDM2016-14 OME2016-14 是友大地戸田達也高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大)・古田 守高知工科大
(15) 11:15-11:40 High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT SDM2016-15 OME2016-15 仁部翔太・○大澤弘樹原 明人東北学院大
(16) 11:40-12:05 ポリシリコンTFTのスパッタSiO2ゲート絶縁膜への低温アニール効果 SDM2016-16 OME2016-16 玉城 光井村公彦岡田竜弥野口 隆琉球大
(17) 12:05-12:30 レーザーアニール技術の高性能パワーMOSFETsプロセスへの応用 SDM2016-17 OME2016-17 陳 訳岡田竜弥野口 隆琉球大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 30 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 佐道 泰造 (九州大)
Tel 092-802-3737 Fax 092-802-3724
E--mail: hedkshu-u 
OME 有機エレクトロニクス研究会(OME)   [今後の予定はこちら]
問合先 鴻野 晃洋(NTT)
E--mail: ha

染谷 隆夫(東大)
E--mail: eetu-

梶井 博武(阪大)
E--mail: ioledeeieng-u

田口 大(東工大)
E--mail: gudaam 


Last modified: 2016-03-04 12:12:01


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 

[SDM研究会のスケジュールに戻る]   /   [OME研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会