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講演抄録/キーワード
講演名
Device-modeling techniques for high-frequency circuits operated at over 100GHz
Ryuichi FujimotoSTARC)・Kyoya TakanoMizuki MotoyoshiUniv. of Tokyo)・Uroschanit YodprasitMinoru FujishimaHiroshima Univ.)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) Device-modeling techniques for high-frequency circuits operated at over 100 GHz is presented. When the MOSFET model included in the process design kit (PDK) is used, difference between the simulated and measured gain of a low-noise amplifier is about 9.1 dB at 120 GHz. To improve accuracy of the simulation, device models for the bond-based design [6] are introduced. For the MOSFET model, external transmission lines, capacitors and inductors are added to the original MOSFET model. And, the values of these external elements are extracted so that the simulated S-parameters are fit to the measured ones. When the proposed models are used, the difference between the simulated and measured gain of the low-noise amplifier is improved to less than 0.6 dB at 120 GHz.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Millimeter-Wave / Device Model / MOSFET / ransmission-Line / Pad / Bond-based Design / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-08-16 - 2010-08-18 
開催地(和) ホーチミン市百科大学 
開催地(英) Ho Chi Minh City University of Technology 
テーマ(和) 2010年ベトナムICD研究会 
テーマ(英) Integrated Circuits and Devices in Vietnam 2010 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-08-ICD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Device-modeling techniques for high-frequency circuits operated at over 100GHz 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Millimeter-Wave  
キーワード(2)(和/英) / Device Model  
キーワード(3)(和/英) / MOSFET  
キーワード(4)(和/英) / ransmission-Line  
キーワード(5)(和/英) / Pad  
キーワード(6)(和/英) / Bond-based Design  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤本 竜一 / Ryuichi Fujimoto / フジモト リュウイチ
第1著者 所属(和/英) (株)半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 恭也 / Kyoya Takano / タカノ キョウヤ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 本良 瑞樹 / Mizuki Motoyoshi / モトヨシ ミズキ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Uroschanit Yodprasit / Uroschanit Yodprasit /
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤島 実 / Minoru Fujishima /
第5著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者
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発表時間  
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