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講演抄録/キーワード
講演名
High Efficiency Rectenna Design with High Impedance Antenna and SOI-MOSFET Connected Diode for RF Energy Harvesting
Yasunori TsuchiyaJiro IdaTakayuki MoriTakuya YamadaShun MomoseKeisuke NoguchiKenji ItohKIT)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) The rectification efficiency of the rectenna were simulated with the high impedance (Hi-Z) antenna and the SOI MOSFET connected diode, based on the extracted parameters from the MOS diode by the fabricated SOI MOSFET. The efficiency will reach to be 30% at the input power of -30dBm with Hi-Z antenna of 10KΩ. The reduction on the parasitic capacitance of the circuit is important, especially when using the high impedance value on Hi-Z antenna and the high frequency. The SOI technology will be promising when designing the high efficiency rectenna with Hi-Z antenna. 
(英) The rectification efficiency of the rectenna were simulated with the high impedance (Hi-Z) antenna and the SOI MOSFET connected diode, based on the extracted parameters from the MOS diode by the fabricated SOI MOSFET. The efficiency will reach to be 30% at the input power of -30dBm with Hi-Z antenna of 10KΩ. The reduction on the parasitic capacitance of the circuit is important, especially when using the high impedance value on Hi-Z antenna and the high frequency. The SOI technology will be promising when designing the high efficiency rectenna with Hi-Z antenna.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) RF energy harvesting / SOI / High impedance antenna / / / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2018-06-27 - 2018-06-29 
開催地(和) KMITL(タイ・バンコク) 
開催地(英) KMITL, Bangkok, Thailand 
テーマ(和) 2018 Thailand-Japan MicroWave (TJMW2018) 
テーマ(英) 2018 Thailand-Japan MicroWave (TJMW2018) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2018-06-MW 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High Efficiency Rectenna Design with High Impedance Antenna and SOI-MOSFET Connected Diode for RF Energy Harvesting 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / RF energy harvesting  
キーワード(2)(和/英) / SOI  
キーワード(3)(和/英) / High impedance antenna  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 土谷 康徳 / Yasunori Tsuchiya / ツチヤ ヤスノリ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 拓弥 / Takuya Yamada / ヤマダ タクヤ
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 百瀬 駿 / Shun Momose / モモセ シュン
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 啓介 / Keisuke Noguchi / ノグチ ケイスケ
第6著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ
第7著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
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講演者
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発表時間  
申込先研究会 MW 
資料番号  
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