講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-08-08 09:15
[招待講演]飽和信号量と量子効率の向上を可能にする2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー ○財津光一郎・松本 晃・西田水輝・田中裕介・山下浩史・佐竹遥介(ソニーセミコンダクタソリューションズ)・渡辺 敬・荒木邦彦・根井直毅(ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング)・中澤圭一・山元純平・上原睦雄(ソニーセミコンダクタソリューションズ)・川島寛之・小林悠作(ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング)・平野智之・田谷圭司(ソニーセミコンダクタソリューションズ) SDM2022-33 ICD2022-1 |
抄録 |
(和) |
高い飽和信号量と量子効率を実現する2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー(2-Layer Pixel)を開発した.2-Layer Pixelでは,3Dシーケンシャルプロセスを用いることによりフォトダイオードと画素トランジスタが異なるSi層に形成され,フォトダイオードの体積を従来の構造よりも拡大することが可能となる.また,複数の浮遊拡散層(FD)どうしを接続するサブローカル配線を新たに導入し,変換効率の向上とランダムノイズの抑制を行った.画素セルどうしは貫通トレンチにより分離され,トレンチの材料として,従来用いられているPoly-SiではなくSiOを用いる構造を初めて導入した.これにより貫通トレンチによる入射光の吸収を抑え,量子効率は波長530nmにおいて19%向上した.我々はこれらの技術を用いて1.0 μmのDual PDの画素構造を有するCMOSイメージセンサーを作製し,12,000 e-の飽和信号量を達成した.これは従来構造のCMOSイメージセンサーにおいて,画素セルの寸法がより大きいもので得られていた飽和信号量よりもさらに大きな値である. |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
CMOSイメージセンサー / 2-Layer Pixel / 3Dシーケンシャル積層 / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 148, SDM2022-33, pp. 1-6, 2022年8月. |
資料番号 |
SDM2022-33 |
発行日 |
2022-08-01 (SDM, ICD) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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