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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-06-21 13:00 ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大）  SDM2022-24 |
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| 抄録 | （和） | 4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit）の低減や，チャネルを絶縁膜/4H-SiC界面から離したFET構造（カウンタードープMOSFET）の適用が重要である．本稿では最初に，Dit低減に有望なAl2O3/4H-SiC界面の更なる改質に向け，界面の酸化副生成物形成抑制に着目して新規に開発した絶縁膜形成手法と，そのDit低減効果を紹介する．次に，近年の反転型4H-SiC MOSFETの電界効果移動度の議論に基づき，カウンタードープ4H-SiC MOSFETにおいて，Ditが自由電子比率および自由電子移動度に与える影響を議論し，カウンタードープ4H-SiC MOSFETの本質的な優位性をまとめる． |
| （英） | To decrease channel resistance of 4H-SiC power MOSFET, there are two important approaches; (1) reducing the interface state density (Dit) to increase the ratio of the mobile free electrons and suppress the Coulomb scattering, and (2) adopting the FET structure with channel away from the insulator/4H-SiC interface such as counter-doped MOSFET. In this paper, we introduce a new formation method of Al2O3/4H-SiC interface with suppressing the formation of the SiCxOy byproduct as well as possible and the impact of suppressing the formation of SiCxOy byproduct on Dit reduction. Next, we discuss the effect of Dit on the ratio of the mobile free electrons and the free electrons mobility in counter-doped 4H-SiC MOSFETs and summarize the intrinsic advantages of counter-doped 4H-SiC MOSFETs from the viewpoint of the interface properties of insulator/4H-SiC gate-stacks. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / 界面特性 / 界面準位密度 / カウンタードープMOSFET / / / / |
| （英） | 4H-SiC / interface property / interface state density / counter-doped MOSFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 84, SDM2022-24, pp. 1-4, 2022年6月. | |
| 資料番号 | SDM2022-24 | |
| 発行日 | 2022-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-24 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2022-06-21 - 2022-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Superiority of counter-doped MOSFET from the viewpoint of oxide/4H-SiC interface property |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 界面特性 / interface property |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / interface state density |
| キーワード(4)（和/英） | カウンタードープMOSFET / counter-doped MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土井 拓馬 / Takuma Doi / ドイ タクマ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / シミズ ミツアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産総研・名大GaN-OIL (略称： 産総研) AIST-NU GaN-OIL (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-06-21 13:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-24 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.84 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-06-14 (SDM) |
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