講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-06-21 14:00
金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一(名大) SDM2022-26 |
抄録 |
(和) |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安定相のため、その安定化、形成方法などの課題が挙げられる。本研究では、異なる結晶面方位のSi基板上に金属Hfを堆積、熱処理によってHf酸化物を形成し、その結晶構造、化学結合状態、組成を詳細に調べた。Si(111)基板上に形成した場合、Si(100)と比較して、Hf酸化物中へのSi拡散が抑制されることが明らかとなった。またSi(111)基板上のHf酸化物では、Si(100)上と比較して、最安定の単斜晶相形成が抑制され、斜方晶/正方晶相が支配的であることが明らかとなった。 |
(英) |
Orthorhombic (O)Hf-based oxide exhibits ferroelectricity even in a thin film with a thickness of 5-10 nm. However, there are some issues of formation and stabilization, because the O phase is a metastable phase. In this study, a metal Hf layer was deposited on a Si substrate with different surface orientations, and then, a Hf oxide layer was formed by thermal oxidation of the Hf layer. Chemical bonding features, composition and crystalline structures were investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and grazing incident x-ray diffraction (GIXRD). Diffusion of Si into the Hf-oxide layer on a Si(111) substrate was suppressed by comparing with that formed on a Si(100) substrate. The crystalline structures of the Hf-oxide layer on the Si(111) substrate are mainly O and tetragonal phases, suppressing monoclinic phase by comparing with on the Si(100) substrate. |
キーワード |
(和) |
ハフニウム / 強誘電体 / 結晶構造 / 化学結合状態 / / / / |
(英) |
Hafnium / Ferroelectricity / Crystalline structure / Chemical bonding feature / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 84, SDM2022-26, pp. 9-12, 2022年6月. |
資料番号 |
SDM2022-26 |
発行日 |
2022-06-14 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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SDM2022-26 |