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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-05-27 14:40 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 ○福島孝晃・ホセ ピエドラ ロレンサナ・土谷 塁・飛沢 健・石川靖彦（豊橋技科大）  ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 |
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| 抄録 | （和） | SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性向上に有効である。反応性スパッタリングにより低温（200ºC）堆積したSiNx膜を利用した低損失光導波路を報告するとともに、SiNxと同等の高い屈折率（約2.0）を有するAlN膜の形成に反応性スパッタリングを応用した結果を述べる。SiNxは電気光学効果を示さないが、0.1 pm/Vオーダーの電気光学係数を有するAlNを利用することにより、光強度変調器などの光制御デバイスの実現が期待できる。 |
| （英） | SiNx possesses a thermo-optic coefficient smaller by approximately one order of magnitude than that of Si, being effective for fabricating Si photonics devices such as an optical multiplexer/demultiplexer with a thermally stable operation. A low-loss optical waveguide is reported using a SiNx film deposited by reactive sputtering at a relatively low deposition temperature of 200ºC. An AlN film with a refractive index as large as 2.0, similar to SiNx, is also deposited by reactive sputtering. No electro-optic effect is present in SiNx, while AlN ideally possesses an electro-optic coefficient on the order of 0.1 pm/V, potentially realizing optical modulation/switching devices including an optical intensity modulator. | |
| キーワード | （和） | シリコンフォトニクス / 反応性スパッタリング / 低温堆積 / 窒化シリコン / 窒化アルミニウム / / / |
| （英） | Silicon photonics / Reactive sputtering / Low-Temperature deposition / Silicon nitride / Aluminum nitride / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 54, SDM2022-17, pp. 13-16, 2022年5月. | |
| 資料番号 | SDM2022-17 | |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2022-05-27 - 2022-05-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Device Materials, Fabrication, Characterization, and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reactive Sputtering of Nitride Dielectric Film for Silicon Photonics Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 反応性スパッタリング / Reactive sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 低温堆積 / Low-Temperature deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化シリコン / Silicon nitride |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 孝晃 / Takaaki Fukushima / フクシマ タカアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ホセ ピエドラ ロレンサナ / Jose A. Piedra Lorenzana / ホセ ピエドラ ロレンサナ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土谷 塁 / Rui Tsuchiya / ツチヤ ルイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飛沢 健 / Takeshi Hizawa / ヒザワ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-05-27 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2022-10, CPM2022-4, SDM2022-17 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.52(ED), no.53(CPM), no.54(SDM) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |
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