お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2022-05-27 16:40
Al2O3(0001)およびYSZ(111)基板上でのYbFe2O4薄膜の結晶成長
車井健慎寺地勇博田村怜太岩田展幸日大ED2022-14 CPM2022-8 SDM2022-21
抄録 (和) 電子型強誘電体として知られているYbFe2O4薄膜をAl2O3(0001)基板および, YSZ(111)基板上にパルスレーザー堆積法を用いて作製した. Fe3O4バッファ層を挿入し, 格子ミスマッチの軽減を行なった. YbFe2O4/ Fe3O4//Al2O3(0001)の表面像より, YbFe2O4構造的特徴を示す60°の内角をもつファセット面を確認した. ϕスキャンの結果より, Al2O3{0 -1 1 4}の結晶ピークが120°ごとに出現したのに対し, Fe3O4{1 1 3}およびYbFe2O4{0 -1 1 4}の結晶ピークは60°ごとに出現した. Fe3O4{1 1 3}の結晶ピークはAl2O3{0 -1 1 4}, YbFe2O4{0 -1 1 4}に対して±30°ずれた位置に結晶ピークが出現した. YbFe2O4とFe3O4の結晶面は本来3回軸の対称性を示すので, 双晶が成長していることがわかった. よってc-Al2O3基板と薄膜の面内エキタピシャル関係はYbFe2O4[-1-20]h[210]h[-110]h / Fe3O4[2-1-1]c[-12-1]c[-1-12]c//Al2O3[-1-20]h[210]h[-110]h, YbFe2O4[1-10]h[120]h[-2-10]h / Fe3O4[11-2]c[-211]c[1-21]c // Al2O3[-1-20]h[210]h[-110]hの4つの成長関係であることがわかった. 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 電子型強誘電体 / YbFe2O4 / パルスレーザー堆積法 / 単相膜 / 積層膜 / 格子ミスマッチ / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 53, CPM2022-8, pp. 29-34, 2022年5月.
資料番号 CPM2022-8 
発行日 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2022-14 CPM2022-8 SDM2022-21

研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2022-05-27 - 2022-05-27 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 
テーマ(英) Functional Device Materials, Fabrication, Characterization, and Related Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2022-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Al2O3(0001)およびYSZ(111)基板上でのYbFe2O4薄膜の結晶成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Crystal Growth of YbFe2O4 Thin Films on Al2O3(0001) and YSZ(111) Substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電子型強誘電体 /  
キーワード(2)(和/英) YbFe2O4 /  
キーワード(3)(和/英) パルスレーザー堆積法 /  
キーワード(4)(和/英) 単相膜 /  
キーワード(5)(和/英) 積層膜 /  
キーワード(6)(和/英) 格子ミスマッチ /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 車井 健慎 / Kenshin Kurumai / クルマイ ケンシン
第1著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺地 勇博 / Takehiro Teraji / テラジ タケヒロ
第2著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田村 怜太 / Reo Tamura / タムラ レオ
第3著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ
第4著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2022-05-27 16:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2022-14, CPM2022-8, SDM2022-21 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.52(ED), no.53(CPM), no.54(SDM) 
ページ範囲 pp.29-34 
ページ数
発行日 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会