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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-03-01 13:30 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価 ○吉田一樹・齋藤健太郎・三浦正範・鹿又健作・廣瀬文彦（山形大）  CPM2021-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2021-73 |
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| 抄録 | （和） | 室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣化防止、長寿命化に必須といわれている。現在は固く、折り曲げができないガラスを用いて素子を封止して寿命を確保しているが、この手法ではフレキシブルデバイスへの応用ができない。フレキシブル化のために金属酸化物薄膜を用いたガスバリア封止技術が検討されている。Al2O3は高いガスバリア性を示し、成膜が容易な酸化膜として注目されているが成膜温度を下げると性能が担保できないという問題があった。そこで我々は複数の酸化膜を複合することで低温成膜した場合であっても高いガスバリア性を得ることができるのではないかと予想し、Al2O3、TiO2、ZnOを組み合わせてガスバリアコーティングを行った。本発表では室温(25℃)原子層堆積法を用いて厚さ100nm程度の膜をフィルムに直接形成した際のガスバリア性について報告する。また異種酸化膜の組み合わせによる水蒸気ガスバリア膜性能へ影響を議論し、フレキシブルエレクトロニクスへの応用可能性を議論する。 |
| （英） | In this paper, we will report water vapor gas barrier films prepared by room temperature atomic layer deposition(RT-ALD). Water vapor gas barrier films are necessary for preventing degradation and achieving the long lifetime of organic electronic devices. Currently, devices are encapsulated by a solid glass substrate, but this method cannot be applied to flexible devices. For flexible encapsulation, the thin-film gas barrier coating technique is widely investigated. Al2O3 has been attracting attention as an oxide film that shows high gas barrier properties and is easy to deposit. However, it is difficult to obtain its superior gas barrier performance in low-temperature deposition. We expected high gas barrier performance to be achieved even at low deposition temperatures by combining multiple oxide films. We will present the gas barrier properties with a thickness of about 100 nm formed directly on the film substrates using room temperature (25°C) ALD. We developed a gas barrier coating with a combination of Al2O3, TiO2, and ZnO. The effect of the various oxide films stacking on the gas barrier performance will be discussed, and the possibility of application to flexible electronics will be discussed. | |
| キーワード | （和） | 原子層堆積法 / ガスバリア / フレキシブルエレクトロニクス / 酸化膜 / / / / |
| （英） | ALD / gas barrier / flexible electronics / oxide / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 387, CPM2021-73, pp. 7-10, 2022年3月. | |
| 資料番号 | CPM2021-73 | |
| 発行日 | 2022-02-22 (CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2021-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2021-73 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2022-03-01 - 2022-03-01 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 若手ミーティング 電子部品材料・一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2022-03-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Water vapor gas diffusion barrier by using room temperature ALD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子層堆積法 / ALD |
| キーワード(2)（和/英） | ガスバリア / gas barrier |
| キーワード(3)（和/英） | フレキシブルエレクトロニクス / flexible electronics |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化膜 / oxide |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 一樹 / Kazuki Yoshida / ヨシダ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 健太郎 / Kentaro Saito / サイトウ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 正範 / Masanori Miura / ミウラ マサノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata / カノマタ ケンサク |
| 第4著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-03-01 13:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2021-73 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.387 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-02-22 (CPM) |
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