講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-01-31 13:15
[招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 ○斉藤朋也・伊藤 孝・帯刀恭彦・園田賢一郎・渡辺源太・松原 謙・神田明彦・下井貴裕・武田晃一・河野隆司(ルネサス エレクトロニクス) SDM2021-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-68 |
抄録 |
(和) |
16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー書込み技術とその測定結果に関して報告する。STT-MRAMセルのP書込み/AP書込み特性に従って、スロープ電圧および電流書込みパルス印加を適用したセルフターミネーション書込み方式と可変並列ビット書込み方式を開発し、72%の書込みエネルギー削減と50%のトータル書込みパルス時間削減を実証した。 |
(英) |
We present the low energy write techniques and measurement results of a 20Mb embedded STT-MRAM test chip in 16nm FinFET logic process. Self-termination write schemes with slope write voltage and current pulse and variable parallel bit write sequence are proposed to reduce total write energy consumption by terminating write pulse adaptively according to the characteristics of each STT-MRAM cell and achieves 72% write energy reduction and 50% total write pulse time reduction. |
キーワード |
(和) |
STT-MRAM / 16nm / ロジックプロセス混載 / 低電力書込み / セルフターミネーション書込み / / / |
(英) |
STT-MRAM / 16nm / embedded / Low power write / Self-termination Write / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 365, SDM2021-68, pp. 1-4, 2022年1月. |
資料番号 |
SDM2021-68 |
発行日 |
2022-01-24 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2021-68 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-68 |