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講演抄録/キーワード
講演名 2022-01-31 14:15
[招待講演]高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明
市原玲華キオクシアSDM2021-70 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-70
抄録 (和) HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析によって捉え、HfO2-FeFETにおけるサイクル劣化の機構を解析した。HfO2/SiO2界面に生じるトラップ電子がサイクルを経ることで固定化し、erase動作における付加的で可逆なホールトラップを誘起することでVthウインドウが縮小することを明らかにした。 
(英) e establish an accurate picture of cycling degradation in HfO2-FeFET based on the dynamics of various charge-trapping revealed by fast charge centroid analysis. Cycling-induced fixed electron at HfO2/SiO2 interface induces an additional reversible hole-trapping leading to Vth window narrowing.
キーワード (和) 強誘電 / HfO2 / FeFET / チャージトラップ / 自発分極 / サイクル劣化 / Vthウインドウ /  
(英) ferroelectric / HfO2 / FeFET / charge-trapping / spontaneous polarization / cycling degradation / Vth window /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 365, SDM2021-70, pp. 9-11, 2022年1月.
資料番号 SDM2021-70 
発行日 2022-01-24 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2021-70 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-70

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2022-01-31 - 2022-01-31 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2022-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) **** 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強誘電 / ferroelectric  
キーワード(2)(和/英) HfO2 / HfO2  
キーワード(3)(和/英) FeFET / FeFET  
キーワード(4)(和/英) チャージトラップ / charge-trapping  
キーワード(5)(和/英) 自発分極 / spontaneous polarization  
キーワード(6)(和/英) サイクル劣化 / cycling degradation  
キーワード(7)(和/英) Vthウインドウ / Vth window  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 市原 玲華 / Reika Ichihara / イチハラ レイカ
第1著者 所属(和/英) キオクシア (略称: キオクシア)
Kioxia (略称: Kioxia)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-01-31 14:15:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2021-70 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.365 
ページ範囲 pp.9-11 
ページ数
発行日 2022-01-24 (SDM) 


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