講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-01-31 16:00
[招待講演]3Dシーケンシャル技術を用いたCMOSイメージセンサー 中澤圭一・○山元純平・森 茂貴・岡本晋太郎・清水暁人・馬場公一・藤井宣年・上原睦雄・平松克規・熊野秀臣・松本 晃・財津光一郎・大沼英寿・田谷圭司・平野智之・岩元勇人(ソニーセミコンダクタソリューションズ) SDM2021-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-73 |
抄録 |
(和) |
我々はフォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層した“2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー”( 2-Layer Pixel )を開発した。この新構造イメージセンサーは、熱的な安定性を備えた接合技術と、ディープコンタクト技術を適用した3Dシーケンシャルプロセスインテグレーションを用いて製造した。本技術の適用により、アンプトランジスタのサイズ拡大に成功した。また画素ピッチが0.7µmで6753×4928画素の裏面照射型CMOSイメージセンサーを実際に構築し、画出しに成功した。 |
(英) |
We developed a new structure of pixel transistors stacked over photodiode named “2-Layer Transistor Pixel Stacked CMOS Image Sensor” (2-Layer Pixel). It was fabricated by 3D sequential process integration with new process techniques, such as thermally stable wafer bonding and deep contacts. With this technology, we successfully increased AMP size and demonstrated backside-illuminated CMOS image sensor of 6752 x 4928 pixels at 0.7um pitch to prove its functionality and integrity. |
キーワード |
(和) |
3Dシーケンシャル / 2-Layer Pixel / ウェハ接合 / ディープコンタクト / / / / |
(英) |
3D Sequential / 2-Layer Pixel / wafer bonding / deep contact / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 365, SDM2021-73, pp. 20-23, 2022年1月. |
資料番号 |
SDM2021-73 |
発行日 |
2022-01-24 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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