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| 講演名 | 2022-01-27 15:30 ［依頼講演］2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC ○石川 亮・瀬下拓也・髙山洋一郎・本城和彦（電通大）  ED2021-67 MW2021-109 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-67 MW2021-109 |
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| 抄録 | （和） | ５Ｇ無線通信システムでは28 GHz帯などの準ミリ波帯も利用されるが、デジタル変調信号増幅用広ダイナミックレンジ電力増幅器として頻用されるドハティー増幅器設計において、トランジスタ性能低下および回路損失増加により理論通りの実現が難しくなっている．一方、準ミリ波帯では通常MMIC で設計され、専用シミュレータを用いた設計精度向上により、インピーダンス最適化設計が可能である．そこで、我々が提案しているλ/4インピーダンス変換器を用いないドハティー増幅器構成をベースに再調整を前提とした設計アルゴリズムを定め、それに基づき28 GHz帯GaN HEMT MMIC ドハティー増幅器を設計・試作し、29.1 GHzで飽和出力30 dBm時にドレイン効率54%、付加電力効率44%、9-dB出力バックオフ時に付加電力効率25%を得た． |
| （英） | In the 5G wireless communication system, a quasi-millimeter wave band such as the 28 GHz band is also used. Doherty power amplifiers are also used as a wide dynamic range power amplifier in the quasi-millimeter wave band. However, it is difficult to designed ideally due to transistor performance degradation and circuit insertion loss increase. On the other hand, impedance optimization design is possible for MMIC amplifiers by design accuracy of a circuit simulator. Therefore, we have established a design algorithm based on the Doherty amplifier configuration that does not use the λ/4 impedance converter. The fabricated 28 GHz band GaN HEMT MMIC Doherty amplifier based on the design algorithm exhibited a drain efficiency of 54% and a power-added efficiency (PAE) of 44% at 29.1 GHz, with a saturation output power of 30 dBm. In addition, a PAE of 25% was achieved at 29.1 GHz on a 9-dB output back-off condition. | |
| キーワード | （和） | ドハティー電力増幅器 / 準ミリ波帯 / GaN HEMT MMIC / ５ G / / / / |
| （英） | Doherty power amplifier / quasi-millimeter wave band / GaN HEMT MMIC / 5 G / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 361, MW2021-109, pp. 28-31, 2022年1月. | |
| 資料番号 | MW2021-109 | |
| 発行日 | 2022-01-20 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-67 MW2021-109 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-67 MW2021-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2022-01-27 - 2022-01-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2022-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 28GHz-Band GaN HEMT Doherty Amplifier MMIC Based on Dual-Power-Level Design Technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドハティー電力増幅器 / Doherty power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 準ミリ波帯 / quasi-millimeter wave band |
| キーワード(3)（和/英） | GaN HEMT MMIC / GaN HEMT MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | ５ G / 5 G |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀬下 拓也 / Takuya Seshimo / セシモ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-01-27 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2021-67, MW2021-109 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.28-31 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-01-20 (ED, MW) |
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