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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-26 16:25 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 ○伊藤滉朔・小松祐斗・渡久地政周（北大）・井上暁喜・田中さくら・三好実人（名工大）・佐藤威友（北大）  ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 |
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| 抄録 | （和） | 低損傷加工技術である光電気化学（PEC）エッチング法を，AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に適用した．PEC反応電流（エッチング速度）は時間の経過とともに減少し，反応電流が0に漸近する「自己停止」特性を示した． AFM観察の結果，エッチング深さ13.2 nm（初期膜厚：20 nm）に対し，表面ラフネスはRMS値：1.89 nmであり，良好な表面モホロジーが得られた．リセス加工面に形成したMISゲートHFETは良好なピンチオフ特性を示し，しきい値電圧はバリア層の厚さに依存して0 V付近までシフトした． |
| （英） | We utilized photo-electrochemical (PEC) etching for fabrication of recessed-gate AlGaInN/AlGaN MIS HFETs. The PEC reaction currents, corresponding to the etching rate, decreased with time and reached to 0, showing the self-stopping of the etching reaction. From the AFM measurement, the etching depth and RMS value of 5×5 µm region was 13.2 nm and 1.89 nm, respectively, and good surface morphology was obtained. Furthermore, The MIS gate HFET formed with the recessed etching showed good pinch-off characteristics, and the threshold voltage shifted to around 0 V depending on the thickness of the barrier layer. | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / ヘテロ構造トランジスタ / リセスゲート構造 / 光電気化学エッチング / / / / |
| （英） | Nitride semiconductors / HFET / Recessed-gate / photo-electrochemical etching / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-35, pp. 91-94, 2021年11月. | |
| 資料番号 | ED2021-35 | |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2021-11-25 - 2021-11-26 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2021-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Recessed-gate AlGaInN/AlGaN HFETs utilizing a photo-electrochemical (PEC) etching. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ構造トランジスタ / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | リセスゲート構造 / Recessed-gate |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング / photo-electrochemical etching |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 滉朔 / Kosaku Ito / イトウ コウサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 祐斗 / Yuto Komatsu / コマツ ユウト |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi / トグチ マサチカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 暁喜 / Akiyoshi Inoue / イノウエ アキヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 さくら / Sakura Tanaka / タナカ サクラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第7著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター (略称： 北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-26 16:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2021-35, CPM2021-69, LQE2021-47 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.91-94 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
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