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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-26 16:00 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 ○渡久地政周・三輪和希（北大）・堀切文正・福原 昇・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大）  ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 |
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| 抄録 | （和） | コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMTs)の作製を行った。リセス構造作製時、エッチング時間を増加させても、AlGaN層の残存膜厚が6nmを下回らない自己停止現象を確認した。リセスゲート型ショットキーHEMTs・MIS-HEMTsは、それぞれプレーナー型と比較して、閾値電圧の正方向シフト、ドレインリーク電流の減少、SS値の向上が見られた。加えて、両リセスデバイスとも、プレーナーデバイスと比較すると閾値電圧のばらつきが非常に小さく、その標準偏差σは、リセスショットキーが5.46mV、リセスMISが16.7mVであった。これらの結果は、CL-PECエッチングプロセスが、リセスゲート型AlGaN/GaN HEMTsの高品質かつ均一的作製の両立に有望であることを示唆している。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / 高電子移動度トランジスタ / ゲートリセス構造 / 光電気化学エッチング / 自己停止 / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-34, pp. 87-90, 2021年11月. | |
| 資料番号 | ED2021-34 | |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2021-11-25 - 2021-11-26 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2021-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs using Low-damage Contactless Photo-Electrochemical Etching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / |
| キーワード(2)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートリセス構造 / |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング / |
| キーワード(5)（和/英） | 自己停止 / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi / トグチ マサチカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 和希 / Kazuki Miwa / ミワ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri / ホリキリ フミマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co., Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福原 昇 / Noboru Fukuhara / フクハラ ノボル |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co., Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 好伸 / Yoshinobu Narita / ナリタ ヨシノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co., Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 磨 / Osamu Ichikawa / イチカワ オサム |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co., Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯野 僚多 / Ryota Isono / イソノ リョウタ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co., Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 丈士 / Takeshi Tanaka / タナカ タケシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co., Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第9著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-26 16:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2021-34, CPM2021-68, LQE2021-46 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.87-90 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
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