| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-25 14:35 ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価 ○今城大渡・山肥田 涼・金森弘尚・渡邊龍一（金沢工大）・木村健司・今野泰一郎・藤倉序章（サイオクス）・山口敦史（金沢工大）  ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34 |
|
| 抄録 | （和） | GaNやその混晶の基礎材料物性は、完全には明らかにされていない。その要因として、完全な品質の結晶成長ができていないことが挙げられる。しかしながら、最近、ハイドライド気相成長法によって、非常に高純度のホモエピ成長GaN膜が実現された。そこで、本研究では、GaN結晶の本体の光学特性とキャリアダイナミクスを調べるために、2 K ~ 300 Kの温度範囲で高純度GaN膜のフォトルミネッセンス(PL)評価を行った。その結果、極低温で、非常に鋭いピークからなるPLスペクトルを得ることができた。また、低温領域において、自由励起子発光(FX)とドナーに束縛された励起子(DBE)発光の強度比がドナー濃度と相関している一方で、高温領域では、ゼロフォノンラインに対する縦型光学(LO)フォノンレプリカの強度比がドナー以外の不純物の濃度に相関していることがわかった。 |
| （英） | The fundamental material properties of GaN and its related materials have not been fully understood. One of the reasons for this is that perfect-quality crystal has not been fabricated. Recently, high-purity GaN homoepitaxial layers have successfully been grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). In this study, we have performed photoluminescence (PL) studies in the temperature range of 2 K ~ 300 K to clarify the optical properties and carrier dynamics of the pure GaN crystal material itself. As a result, PL spectra with very sharp peaks have been obtained at 2 K. It is observed that the intensity ratio of free exciton (FX) emission to donor-bound exciton (DBE) emission in the low-temperature region, simply correlates with the donor concentration. On the other hand, in the high temperature region, the intensity ratio of the longitudinal optical (LO) phonon replica to the zero-phonon line correlates with concentration of impurity other than donor atom. | |
| キーワード | （和） | GaN / PL / 励起子 / LOフォノンレプリカ / / / / |
| （英） | GaN / PL / exciton / LO phonon replica / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 261, LQE2021-34, pp. 37-40, 2021年11月. | |
| 資料番号 | LQE2021-34 | |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2021-11-25 - 2021-11-26 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2021-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence study of high-purity GaN homoepitaxial layers grown by hydride vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(3)（和/英） | 励起子 / exciton |
| キーワード(4)（和/英） | LOフォノンレプリカ / LO phonon replica |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今城 大渡 / Hiroto Imashiro / イマシロ ヒロト |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山肥田 涼 / Ryo Yamahida / ヤマヒダ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金森 弘尚 / Hironao Kanamori / カナモリ ヒロナオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 龍一 / Ryuichi Watanabe / ワタナベ リュウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 健司 / Takeshi Kimura / キムラ タケシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS COMPANY LIMITED (略称： SCIOCS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今野 泰一郎 / Taichiro Konno / コンノ タイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS COMPANY LIMITED (略称： SCIOCS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤倉 序章 / Hajime Fujikura / フジクラ ハジメ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS COMPANY LIMITED (略称： SCIOCS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-25 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2021-22, CPM2021-56, LQE2021-34 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]