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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-25 13:55 Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定 ○小笠原健太（金沢工大）・坂井繁太・奥村忠嗣・難波江宏一（ウシオ電機）・山口敦史（金沢工大）  ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 |
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| 抄録 | （和） | InGaNはInNとGaNの混晶であり，In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材料である．その一方で，InNとGaNが強い非混和性を示すことからInGaN量子井戸は混晶組成揺らぎが大きく，状態密度が裾引き状態になることで知られる．光学利得特性はこれらの影響を強く受けるため，InGaN量子井戸レーザの正確な性能評価には導波路損失の測定が必要となる．そこで本研究では，InGaN量子井戸レーザの導波路損失を測定し，組成揺らぎが小さいと考えられるInGaP量子井戸レーザでの測定結果と比較した．その結果，InGaN量子井戸レーザはInGaP量子井戸レーザよりもストークスシフトが大きく，導波路損失が低エネルギー側に裾を引いており，InGaN量子井戸レ－ザの導波路損失が大きいことを示す結果が得られた． |
| （英） | InGaN is a semiconductor alloy material made of a mix of InN and GaN. InGaN can emit entire visible light by changing their alloy composition. On the other hand, it is well known that InGaN quantum well (QW) active layers have very large alloy compositional fluctuation and that density of states (DOS) has a tail with large localization energy due to the immiscibility of InN and GaN. Since optical gain characteristics are largely affected by these effects, it is very important to measure the waveguide loss of such fluctuated InGaN-QW. In this study, we have measured waveguide loss spectrum for an InGaN-QW laser diode (LD) structure. The loss spectrum for a conventional InGaP-QW red-light-emitting LD structure was also measured for comparison. It is observed that PL peak position difference between the surface and edge emissions is very large (~ 200 meV) in the InGaN LD sample while there is almost no difference in the InGaP LD sample. In addition, the absorption coefficient gradually rises from an energy much lower than the PL peak energy of surface emission in the InGaN LD sample while the coefficient sharply rises at nearly PL peak energy in the InGaP LD sample. These results show that the InGaN QW has a large waveguide loss. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸 / 組成揺らぎ / レーザ / 光学特性 / 導波路損失 / / / |
| （英） | InGaN-QWs / Potential fluctuation / Laser / Optical characterization / Waveguide loss / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 261, LQE2021-33, pp. 33-36, 2021年11月. | |
| 資料番号 | LQE2021-33 | |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2021-11-25 - 2021-11-26 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2021-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Waveguide loss measurements in III-nitride laser structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN-QWs |
| キーワード(2)（和/英） | 組成揺らぎ / Potential fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | レーザ / Laser |
| キーワード(4)（和/英） | 光学特性 / Optical characterization |
| キーワード(5)（和/英） | 導波路損失 / Waveguide loss |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小笠原 健太 / Kenta Ogasawara / オガサワラ ケンタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai / サカイ シゲタ |
| 第2著者 所属（和/英） | ウシオ電機株式会社 (略称： ウシオ電機) Ushio Incorporated (略称： Ushio Inc) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥村 忠嗣 / Tadashi Okumura / オクムラ タダシ |
| 第3著者 所属（和/英） | ウシオ電機株式会社 (略称： ウシオ電機) Ushio Incorporated (略称： Ushio Inc) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 難波江 宏一 / Koichi Naniwae / ナニワエ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | ウシオ電機株式会社 (略称： ウシオ電機) Ushio Incorporated (略称： Ushio Inc) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-25 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2021-21, CPM2021-55, LQE2021-33 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
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