お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2021年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2021-11-11 16:15
標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案
竹内 潔水谷朋子更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2021-58
抄録 (和) 基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が広く受け入れられている。このような解析的しきい値定義はデバイスモデリングにおいて重要であるが、この従来定義には反転時電荷面密度の基板濃度依存性が不適切である、今日多用される完全空乏型SOIやFinFETデバイスで定義不能になる等の不都合がある。この問題を解決するため反転電荷面密度でしきい値を定義する新たな方法を提案したので紹介する。 
(英) Threshold voltage defined by a band bending of twice the substrate intrinsic-to-Fermi level difference has been widely accepted. Such analytically defined threshold voltage is important for device modeling purposes. However, there are shortcomings with this conventional definition. Surface inversion carrier density per area at threshold by this definition inadequately depends on the substrate doping. The definition is not applicable to fully depleted thin body devices, such as FinFETs and FDSOI FETs. In this presentation, a simple definition based on a threshold inversion charge density per area will be explained, which the authors recently proposed to solve these problems.
キーワード (和) しきい値 / MOSFET / / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-58, pp. 29-32, 2021年11月.
資料番号 SDM2021-58 
発行日 2021-11-04 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2021-58

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2021-11-11 - 2021-11-12 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2021-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A threshold voltage definition based on a standardized charge vs. voltage relationship 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) しきい値 /  
キーワード(2)(和/英) MOSFET /  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2021-11-11 16:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2021-58 
巻番号(vol) IEICE-121 
号番号(no) no.235 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2021-11-04 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会