講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-11-11 10:00
[招待講演]シリコンIGBTの新展開 ~ スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT ~ ○平本俊郎・更屋拓哉(東大) SDM2021-53 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-53 |
抄録 |
(和) |
パワーエレクトロニクス分野では,シリコンIGBT (insulated gate bipolar transistors)の重要性がますます高まっている.本稿では,シリコンIGBTの更なる性能向上策として,我々が取り組んできたスケーリングIGBTおよび両面ゲートIGBTについて紹介する. |
(英) |
A silicon IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) still remains the main stream power transistor and is widely used in power electronics equipment. In this paper, recent progress of the emerging IGBT technologies, scaling IGBT and double-gate IGBTs, are presented. |
キーワード |
(和) |
パワーエレクトロニクス / パワートランジスタ / IGBT / シリコン / 両面ゲート / スケーリング / / |
(英) |
Power Electronics / Power Transistor / IGBT / Silicon / Double Gate / Scaling / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-53, pp. 1-6, 2021年11月. |
資料番号 |
SDM2021-53 |
発行日 |
2021-11-04 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2021-53 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-53 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2021-11-11 - 2021-11-12 |
開催地(和) |
オンライン開催 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit simulation, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2021-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
シリコンIGBTの新展開 |
サブタイトル(和) |
スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT |
タイトル(英) |
New Development of Silicon IGBT |
サブタイトル(英) |
Scaling IGBT and Double-Gate IGBT |
キーワード(1)(和/英) |
パワーエレクトロニクス / Power Electronics |
キーワード(2)(和/英) |
パワートランジスタ / Power Transistor |
キーワード(3)(和/英) |
IGBT / IGBT |
キーワード(4)(和/英) |
シリコン / Silicon |
キーワード(5)(和/英) |
両面ゲート / Double Gate |
キーワード(6)(和/英) |
スケーリング / Scaling |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: UTokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
第2著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: UTokyo) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2021-11-11 10:00:00 |
発表時間 |
60分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2021-53 |
巻番号(vol) |
vol.121 |
号番号(no) |
no.235 |
ページ範囲 |
pp.1-6 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2021-11-04 (SDM) |