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講演抄録/キーワード
講演名 2021-11-11 16:40
[招待講演]SISPAD2021レビュー
三成英樹ソニーセミコンダクタソリューションズSDM2021-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-59
抄録 (和) 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)が、米国ダラスの現地会場とオンライン会議を組み合わせたハイブリッド形式により、2021年9月27日から29日にかけて開催された。本報告では当会議の統計データの動向について分析した後、注目を集めた講演についてその内容をレビューする。 
(英) 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) was held on September 27-29, 2021 in a hybrid format (online + on-site (Dallas, USA)). In this report, the trend of statistical data of this conference is reported. I also review the selected papers presented at the conference.
キーワード (和) SISPAD / モデリング / シミュレーション / / / / /  
(英) SISPAD / modeling / simulation / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-59, pp. 33-37, 2021年11月.
資料番号 SDM2021-59 
発行日 2021-11-04 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2021-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-59

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2021-11-11 - 2021-11-12 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2021-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SISPAD2021レビュー 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) SISPAD2021 Review 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SISPAD / SISPAD  
キーワード(2)(和/英) モデリング / modeling  
キーワード(3)(和/英) シミュレーション / simulation  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三成 英樹 / Hideki Minari / ミナリ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 (略称: ソニーセミコンダクタソリューションズ)
Sony Semiconductor Solutions Corporation (略称: Sony Semiconductor Solutions)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-11-11 16:40:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2021-59 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.235 
ページ範囲 pp.33-37 
ページ数
発行日 2021-11-04 (SDM) 


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