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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-10-21 13:50 A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation ○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro（Tokyo Tech.）  SDM2021-48 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2021-48 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | We investigated the in-situ formed Hf-based MONOS non-volatile memory (NVM) device with HfO2 and HfON tunneling layer (TL) for the multi-bit/cell operation. In the case of HfO¬2 TL, the SiO2 interfacial layer (IL) was formed which increases EOT. In this research, we utilized the HfON as the TL which was formed by the Ar/O2 plasma oxidation of deposited HfNx to suppress the SiO2 IL formation. The HfON TL device shows MW of 3.9 V even at the low program/erase (P/E) voltage with fast operation compared to HfO2 TL. The HfON TL shows strong VTH dependence by VDS. Therefore, HfON TL realized larger margin to evaluate each programmed state. It was found that both devices show suppression of the lateral charge spread effect from the retention measurement. Although HfON TL shows high noise spectral density (SID) compared to HfO2 TL, nitrogen incorporation suppresses the degradation of interface characteristics after the P/E cycles of 104. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | In situ process / non-volatile memory / HfON / HfO2 / multi-bit/cell operation / noise spectral density / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 212, SDM2021-48, pp. 16-19, 2021年10月. | |
| 資料番号 | SDM2021-48 | |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-48 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2021-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-10-21 - 2021-10-21 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / In situ process |
| キーワード(2)（和/英） | / non-volatile memory |
| キーワード(3)（和/英） | / HfON |
| キーワード(4)（和/英） | / HfO2 |
| キーワード(5)（和/英） | / multi-bit/cell operation |
| キーワード(6)（和/英） | / noise spectral density |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 表 柱栄 / Pyo Jooyoung / ピョ ジュヨン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井原 爽生 / Ihara Akio / イハラ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Ohmi Shun-ichiro / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-10-21 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-48 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.212 |
| ページ範囲 | pp.16-19 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |
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