講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-10-21 10:45
[招待講演]シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 ○三谷祐一郎(東京都市大) SDM2021-44 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-44 |
抄録 |
(和) |
本論文では、ナノエレクトロニクスで幅広く用いられているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜へのフッ素導入の影響に関して、実験結果をもとに考察する。シリコン窒化膜では、フッ素量の増加に伴って電子トラップレベルが浅化する傾向のみ観測されるが、シリコン酸化膜の場合は過剰なフッ素量の導入で信頼性が著しくかつ急激に劣化する。つまり、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とでは、それぞれの膜中のネットワーク構造に対するフッ素導入の影響が異なる可能性を示し、高信頼なデバイス実現には、その差や制御方法を考慮することが必要になることを示唆している。 |
(英) |
In this paper, the influence of Fluorine incorporation into SiO2 and Si nitride (SixNy) films which are widely used in the nano electronics has been investigated. In the SixNy film, fluorine makes the electron trap level shallower with increasing F dosage. On the other hand, as previously reported in the literatures, fluorine improves SiO2/Si interfaces and bulk though, an excess fluorine degrades the SiO2 film markedly. Re-considering the control of Fluorine incorporation becomes important for realizing highly reliable devices. |
キーワード |
(和) |
シリコン酸化膜 / シリコン窒化膜 / フッ素 / 信頼性 / / / / |
(英) |
Silicon dioxide / Silicon nitride film / Fluorine / Reliability / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 212, SDM2021-44, pp. 1-4, 2021年10月. |
資料番号 |
SDM2021-44 |
発行日 |
2021-10-14 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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