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講演抄録/キーワード
講演名 2021-10-08 13:25
Fe-N薄膜におけるγ'相の形成と磁歪
前田悠良今村光佑大竹 充川井哲郎二本正昭横浜国大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MRIS2021-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:MRIS2021-7
抄録 (和) 反応性スパッタリング法によりMgO単結晶基板上にFe-N薄膜を形成し,基板温度がγ’-Fe4N相の形成に及ぼす影響について調べた.また,γ’相の磁歪定数λ100およびλ111を実験的に明らかにした.基板温度がRTの場合,γ’とα’’相から構成される多結晶膜が形成された,200 °C形成した膜はγ’相の多結晶に加えて,γ’相のエピタキシャル結晶から構成された.400 °Cまで基板温度を増加させると,γ’相の単結晶膜が得られた.しかしながら,基板温度を600 °Cまで更に上昇させると,α相の単結晶膜が形成された.400 °C程度の基板温度がγ’相の単結晶膜の形成には有効であることが分かった.γ’相の単結晶膜は,–75×10–6の大きな負のλ100と+220×10–6の大きな正のλ111を示した.本研究により,γ’-Fe4N相はレアメタルフリー磁歪材料の有力候補のひとつであることが明らかになった. 
(英) Fe-N thin films are prepared on MgO single-crystal substrates by reactive sputtering. The influence of substrate temperature on the γ'-Fe4N phase formation is investigated. Furthermore, the magnetostriction coefficients, λ100 and λ111, of γ' phase are experimentally determined. A poly-crystalline film composed of γ' and α" phases is formed when the substrate temperature is RT. The film prepared at 200 °C involves γ' epitaxial crystal in addition to γ' poly-crystal, whereas that prepared at 400 °C consists of only γ' single-crystal. However when the substrate temperature increases up to 600 °C, a single-crystal film composed of α phase is formed. A moderate substrate temperature of about 400 °C is effective in the formation of γ' single-crystal film. The γ' single-crystal film shows a large positive λ100 value of –75×10–6 and a large negative λ111 value of +220×10–6. The present study has shown that γ'-Fe4N phase is one of the strong candidates for future rare-metal free magnetostrictive materials.
キーワード (和) γ'-Fe4N相 / 単結晶薄膜 / 巨大磁歪 / / / / /  
(英) γ'-Fe4N phase / Single-Crystal Thin Film / Large Magnetostriction / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 193, MRIS2021-7, pp. 6-10, 2021年10月.
資料番号 MRIS2021-7 
発行日 2021-10-01 (MRIS) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MRIS2021-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:MRIS2021-7

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2021-10-08 - 2021-10-08 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) ヘッド,スピントロニクス,固体メモリ, 媒体, 一般 
テーマ(英) Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2021-10-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Fe-N薄膜におけるγ'相の形成と磁歪 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) γ' Phase Formation and Magnetostriction in Fe-N Thin Films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) γ'-Fe4N相 / γ'-Fe4N phase  
キーワード(2)(和/英) 単結晶薄膜 / Single-Crystal Thin Film  
キーワード(3)(和/英) 巨大磁歪 / Large Magnetostriction  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 悠良 / Yura Maeda / マエダ ユラ
第1著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat. Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 今村 光佑 / Kosuke Imamura / イマムラ コウスケ
第2著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat. Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル
第3著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat. Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川井 哲郎 / Tetsuroh Kawai / カワイ テツロウ
第4著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat. Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ
第5著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat. Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ
第6著者 所属(和/英) 東京藝術大学 (略称: 東京藝術大)
Tokyo University of the Arts (略称: Tokyo Univ. Arts)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲葉 信幸 / Nobuyuki Inaba / イナバ ノブユキ
第7著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-10-08 13:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MRIS2021-7 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.193 
ページ範囲 pp.6-10 
ページ数
発行日 2021-10-01 (MRIS) 


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