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講演抄録/キーワード
講演名 2021-06-22 16:50
アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
松井千尋竹内 健東大SDM2021-27
抄録 (和) (開催日以降に掲載されます) 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) ReRAM / 信頼性 / ストレージ / / / / /  
(英) ReRAM / Reliability / Storage / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-27, pp. 21-22, 2021年6月.
資料番号 SDM2021-27 
発行日 2021-06-15 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2021-27

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2021-06-22 - 2021-06-22 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online Virtual Meeting 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2021-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Application-induced TaOx ReRAM Cell Reliability Variation Tolerated High-speed Storage 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) 信頼性 / Reliability  
キーワード(3)(和/英) ストレージ / Storage  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 千尋 / Chihiro Matsui / マツイ チヒロ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of aTokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of aTokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者
発表日時 2021-06-22 16:50:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2021-27 
巻番号(vol) IEICE-121 
号番号(no) no.71 
ページ範囲 pp.21-22 
ページ数 IEICE-2 
発行日 IEICE-SDM-2021-06-15 


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