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講演抄録/キーワード
講演名 2021-04-23 13:40
[招待講演]マイクロシェブロンレーザー走査法による単結晶Si帯の結晶方位制御
葉 文昌島根大SDM2021-2 OME2021-2 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-2 OME2021-2
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文献情報 信学技報, vol. 121, no. 8, SDM2021-2, pp. 7-12, 2021年4月.
資料番号 SDM2021-2 
発行日 2021-04-16 (SDM, OME) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2021-04-23 - 2021-04-24 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawaken Seinen Kaikan 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2021-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マイクロシェブロンレーザー走査法による単結晶Si帯の結晶方位制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Control of crystal orientation in single crystal Si strip formed by micro-chevron laser scanning 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 葉 文昌 / Wenchang Yeh / ヨウ ブンショウ
第1著者 所属(和/英) 島根大学 総合理工学部 (略称: 島根大)
Shimane University (略称: Shimane Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-04-23 13:40:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2021-2, OME2021-2 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.8(SDM), no.9(OME) 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2021-04-16 (SDM, OME) 


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