講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-03-03 13:45
薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 ○川合祐貴・山本和輝・大塚 祐・佐藤 勝・武山真弓(北見工大) CPM2020-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2020-69 |
抄録 |
(和) |
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるために、Zr/ZrO2/Pt構造とZr/CuOx/ZrO2/Pt構造という二つの構造を作製し、I-V特性を検討した。その結果ZrO2単層構造では抵抗変化が起こらず、CuOx/ZrO2積層構造ではバイポーラ型の抵抗変化が見られた。 |
(英) |
In recent years, a Resistive Random Access Memory (RRAM) has been attracting attention as one of the most promising next generation non-volatile memories. In this study, we made two structures of, Zr/ZrO2/Pt and Zr/CuOx/ZrO2/Pt, as candidates to reduce the operating current, and their I-V characteristics were investigated. As a result, the CuOx/ZrO2 stacked structure showed a bipolar resistive switching. |
キーワード |
(和) |
抵抗変化型メモリ / 次世代不揮発性メモリ / バイポーラ型 / / / / / |
(英) |
Resistive random access memory / next generation non-volatile memories / Bipolar / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 408, CPM2020-69, pp. 52-54, 2021年3月. |
資料番号 |
CPM2020-69 |
発行日 |
2021-02-24 (CPM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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