講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-03-01 17:30
0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討 ○大谷圭佑・中山未菜美・有吉和麻・松本 聡(九工大) EE2020-47 |
抄録 |
(和) |
近年、電子機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化としてスイッチング周波数の高周波化が効果的である。GaNパワーデバイスは高周波において高効率であり、高温動作においても優れている。また、薄層SOIはリーク電流を減らし、ラッチアップを抑制することができるため、高温動作に適している。本論文では薄層SOIパワーMOFETをモデル化し、SOIを用いたGaNパワーデバイス用高周波ゲートドライバーのシミュレーションを行った結果を報告する。 |
(英) |
In recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices and communication devices, miniaturization of power sources has been required. Increasing the switching frequency is effective as a miniaturization of the power supply. GaN power devices are highly efficient at high frequencies and are also excellent at high temperatures. In addition, thin-layer SOI is suitable for high-temperature operation because it can reduce leakage current and suppress latch-up. In this paper, we model a thin-layer SOI power MOFET and report the results of simulating a high-frequency gate driver for GaN power devices using SOI. |
キーワード |
(和) |
GaN / ゲートドライバ / SOI / / / / / |
(英) |
GaN / gate driver / SOI / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 387, EE2020-47, pp. 39-43, 2021年3月. |
資料番号 |
EE2020-47 |
発行日 |
2021-02-22 (EE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EE2020-47 |
研究会情報 |
研究会 |
EE IEE-SPC |
開催期間 |
2021-03-01 - 2021-03-02 |
開催地(和) |
オンライン開催 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
スイッチング電源、半導体電力変換技術、電力系統技術 |
テーマ(英) |
|
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
EE |
会議コード |
2021-03-EE-SPC |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Examination by simulation of high frequency gate driver using 0.5 μm CMOS/SOI |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GaN / GaN |
キーワード(2)(和/英) |
ゲートドライバ / gate driver |
キーワード(3)(和/英) |
SOI / SOI |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大谷 圭佑 / Keisuke Otani / オオタニ ケイスケ |
第1著者 所属(和/英) |
九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyusyu Institute of Technology (略称: KIT) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中山 未菜美 / Minami Nakayama / ナカヤマ ミナミ |
第2著者 所属(和/英) |
九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyusyu Institute of Technology (略称: KIT) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
有吉 和麻 / Kazuma Ariyoshi / アリヨシ カズマ |
第3著者 所属(和/英) |
九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyusyu Institute of Technology (略称: KIT) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松本 聡 / Satoshi Matsumoto / マツモト サトシ |
第4著者 所属(和/英) |
九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyusyu Institute of Technology (略称: KIT) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2021-03-01 17:30:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
EE |
資料番号 |
EE2020-47 |
巻番号(vol) |
vol.120 |
号番号(no) |
no.387 |
ページ範囲 |
pp.39-43 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2021-02-22 (EE) |