講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-02-05 14:25
[招待講演]1umピッチCu-Cu接続に対する接合ずれの影響 ○香川恵永・上林拓海・羽根田雅希・藤井宣年・古瀬駿介・橋口日出登・平野智之・岩元勇人(ソニーセミコンダクタソリューションズ) SDM2020-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-58 |
抄録 |
(和) |
良好な電気特性と信頼性を有する1umピッチのCu-Cu接続が実現され、同時に、Cuパッド間の接合ずれが特性に与える影響についても示された。1umピッチのCu-Cu接続では、0.5umのCuパッドが用いられており、これは我々がこれまで報告してきたCu-Cu接続のピッチを1/3に縮小するものである。Cu-Cu接続のコンタクト抵抗やCuパッド間のリーク電流は、接合ずれがCuパッドサイズを超えない範囲において、影響は限定的であった。また、EM特性は、0.1umから0.25umのずれの範囲において寿命劣化はなかった。一方で、Cuパッド間のIV特性については、200V以上の高い耐性は示しつつも、接合ずれに応じて耐圧強度が劣化する結果となった。 |
(英) |
In this study, we have successfully demonstrated the 1um pitch Cu-Cu hybrid bonding technology with remarkable electrical properties and reliabilities. 1um pitch is world's finest class and is 3 times smaller than the connection pitch of our conventional Cu-Cu hybrid bonding technology. Moreover, the impacts of misalignment between upper Cu pad and lower Cu pad on contact resistance, electro-migration (EM) performance, leakage current and breakdown voltage were also investigated in such ultra-fine Cu-Cu hybrid bonding system. |
キーワード |
(和) |
Cu-Cu接続 / 1umピッチ / 接合ずれ / EM / 三次元積層 / / / |
(英) |
Cu-Cu Hybrid Bonding / 1um-pitch / misalignment / electro migration / 3D Chip Stacking / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 359, SDM2020-58, pp. 15-18, 2021年2月. |
資料番号 |
SDM2020-58 |
発行日 |
2021-01-29 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2020-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-58 |