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講演抄録/キーワード
講演名 2021-01-29 13:25
異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析
伊藤海到大石敏之佐賀大ED2020-32 MW2020-85
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 120, no. 353, ED2020-32, pp. 26-29, 2021年1月.
資料番号 ED2020-32 
発行日 2021-01-22 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2020-32 MW2020-85

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2021-01-29 - 2021-01-29 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2021-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis of sidegate effect by 2D device simulation in AlGaN/GaN HEMT with different traps 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 海到 / Kaito Ito / イトウ カイト
第1著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ
第2著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
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講演者
発表日時 2021-01-29 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2020-32,IEICE-MW2020-85 
巻番号(vol) IEICE-120 
号番号(no) no.353(ED), no.354(MW) 
ページ範囲 pp.26-29 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2021-01-22,IEICE-MW-2021-01-22 


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